HXY
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PESD3V3L1BA,115
供应商: Anychip Mall
描述: 这款ESD保护器件为Bi双向类型，适用于保护敏感电路。其工作电压为3.3V，最大峰值脉冲电流可达16A。具备低电容特性（100pF），确保信号传输不受影响。单通道设计简洁实用。广泛应用于各类电子设备的静电放电保护，确保系统稳定运行。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款ESD保护器件为Bi双向类型，适用于保护敏感电路。其工作电压为3.3V，最大峰值脉冲电流可达16A。具备低电容特性（100pF），确保信号传输不受影响。单通道设计简洁实用。广泛应用于各类电子设备的静电放电保护，确保系统稳定运行。
BCV47
供应商: Anychip Mall
描述: 这款NPN型达林顿管拥有60V的最大电压和0.5A的最大电流能力，反向电流仅为0.1μA，确保了在低功耗应用中的高精度和稳定性。适用于信号放大、驱动电路及各种需要高增益和低噪声特性的电子设备中。其出色的电气性能使其成为构建高效、可靠的电子系统的理想选择。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款NPN型达林顿管拥有60V的最大电压和0.5A的最大电流能力，反向电流仅为0.1μA，确保了在低功耗应用中的高精度和稳定性。适用于信号放大、驱动电路及各种需要高增益和低噪声特性的电子设备中。其出色的电气性能使其成为构建高效、可靠的电子系统的理想选择。
SI4435DYPBF-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: SI4435DYPbF 是一款高性能P沟道MOS管，采用紧凑型SOP-8封装，适用于各类电子设备。其拥有30V的额定电压VDSS和高达11A的连续漏极电流ID，确保了强大的电力处理能力。更值得一提的是，该器件具有低至12.5mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功耗，提升系统能效。无论是在电源管理还是电机驱动等领域，这款MOS管都能展现卓越性能，是您设计的理想选择。
供应商: Anychip Mall
描述: SI4435DYPbF 是一款高性能P沟道MOS管，采用紧凑型SOP-8封装，适用于各类电子设备。其拥有30V的额定电压VDSS和高达11A的连续漏极电流ID，确保了强大的电力处理能力。更值得一提的是，该器件具有低至12.5mΩ的导通电阻RD(on)，有效降低功耗，提升系统能效。无论是在电源管理还是电机驱动等领域，这款MOS管都能展现卓越性能，是您设计的理想选择。
DSS210
供应商: Anychip Mall
描述: 这款二极管具有100V的最大电压和2A的最大电流能力，正向压降VF仅为0.85V，在保证高效导通的同时降低了能量损耗。反向电流IR仅为20μA，确保了在非导通状态下的低漏电特性。该二极管还能承受50A的浪涌电流IFSM，适用于需要快速开关和高可靠性的应用，如消费电子产品中的整流电路、电池充电器及各类电源管理系统。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款二极管具有100V的最大电压和2A的最大电流能力，正向压降VF仅为0.85V，在保证高效导通的同时降低了能量损耗。反向电流IR仅为20μA，确保了在非导通状态下的低漏电特性。该二极管还能承受50A的浪涌电流IFSM，适用于需要快速开关和高可靠性的应用，如消费电子产品中的整流电路、电池充电器及各类电源管理系统。
HC2M0160120K
供应商: Anychip Mall
描述: 这款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为1200V高电压应用设计。额定电流19A，适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统，具备卓越的高温稳定性、低导通损耗和快速开关特性，是现代高效能源管理与功率转换的理想器件。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款碳化硅工业级N沟道MOSFET采用TO-247-4L封装，专为1200V高电压应用设计。额定电流19A，适用于严苛环境下的电源转换、电机驱动及逆变系统，具备卓越的高温稳定性、低导通损耗和快速开关特性，是现代高效能源管理与功率转换的理想器件。
IRLR2905PBF-HXY
供应商: Anychip Mall
描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为处理高电压、大电流应用设计。额定耐压60V，能承载30A连续电流，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻和良好散热性能，是现代电子设备高效功率控制的理想选择。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款N沟道消费级MOSFET采用TO-252-2L封装，专为处理高电压、大电流应用设计。额定耐压60V，能承载30A连续电流，适用于电源转换、电机驱动及电池管理系统，具有低导通电阻和良好散热性能，是现代电子设备高效功率控制的理想选择。
FDN86501LZ-HXY
供应商: LCSC
供应商: LCSC
HXY50N04NF
供应商: Anychip Mall
描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压40V，连续电流可达50A。适用于高效率电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备出色的散热性能与紧凑尺寸，是现代电子产品理想的小型化、高性能解决方案。
供应商: Anychip Mall
描述: 这款消费级N沟道MOSFET采用DFN5X6-8L封装，额定电压40V，连续电流可达50A。适用于高效率电源转换、电机驱动及电池管理系统，具备出色的散热性能与紧凑尺寸，是现代电子产品理想的小型化、高性能解决方案。
BSC093N04LSG-HXY
供应商: Anychip Mall
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HBA592E6327
供应商: Anychip Mall
描述: 此射频开关，配备独立式二极管，1V正向压降下确保20mA流畅传输，直流反向耐压30V，漏电电流低至10nA，实现精准信号切换。小巧高效，为无线通讯及高频应用提供稳定可靠的连接解决方案。
供应商: Anychip Mall
描述: 此射频开关，配备独立式二极管，1V正向压降下确保20mA流畅传输，直流反向耐压30V，漏电电流低至10nA，实现精准信号切换。小巧高效，为无线通讯及高频应用提供稳定可靠的连接解决方案。