HUXN

MM3Z12
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压二极管
描述: 稳压值(标称值)：12V 稳压值(范围)：11.4V~12.7V 精度：±5% 功率：300mW 稳压值(标称值)：12V 稳压值(范围)：11.4V~12.7V 精度：±5% 功率：300mW 反向电流(Ir)：0.1μA@9V 阻抗(Zzt)：35Ω

GBU810
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：8A 正向压降(Vf)：1.1V@8A 正向浪涌电流(Ifsm)：175A 直流反向耐压(Vr)：1000V 平均整流电流(Io)：8A 正向压降(Vf)：1.1V@8A 反向电流(Ir)：5μA@1000V 正向浪涌电流(Ifsm)：175A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

HESD5Z5V0
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: VRWM=5V VBR=6.2Vmin 反向电流(Ir)：0.08μAmax Vc: IPP=5A=11.6Vmax

HESD5Z5V0C
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: VRWM=5V VBR=5.6Vmin 反向电流(Ir)：1μAmaxVc: IPP=1A=9.5Vmax

HSM24
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 反向截止电压(Vrwm)：24V 击穿电压：26.7V 最大钳位电压：43V VRWM=24V VB=26.7Vmin 反向电流(Ir)：1μAmax Vc@1A=43Vmax

RS3M
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：3A 正向压降(Vf)：1.3V@3A 反向恢复时间(trr)：500ns

RS1J
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向恢复时间(trr)：250ns

BC807-25W
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：45V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：400@100mA,1V 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：-45V 集电极电流(Ic)：-500mA 功率(Pd)：200mW 集电极截止电流(Icbo)：-0.1uA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：100@-100mA,-1V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

BC3407
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: P沟道 耐压:30V 电流:4.1A 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):4.1A

A7
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 电压:1kV 电流:1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A