M/A-COM TECHNOLOGY SOLUTIONS
商品列表
MACP-010562-001SMB
供应商: DigiKey
分类: RF 评估和开发套件，板
描述: EVAL BOARD FOR MACP-010562-TR100
类型: 功率检测器 频率: 6GHz ~ 18GHz 配套使用产品/相关产品: MACP-010562 所含物品: 板
供应商: DigiKey
分类: RF 评估和开发套件，板
描述: EVAL BOARD FOR MACP-010562-TR100
类型: 功率检测器 频率: 6GHz ~ 18GHz 配套使用产品/相关产品: MACP-010562 所含物品: 板
PH1090-350L
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
描述: RF TRANS NPN 80V
晶体管类型: NPN 电压-集射极击穿（最大值）: 80V 频率-跃迁: - 噪声系数（dB，不同f时的典型值）: - 增益: 8.32dB 功率-最大值: 350W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: - 电流-集电极（Ic）（最大值）: 17A 工作温度: 200°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: - 供应商器件封装: -
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
描述: RF TRANS NPN 80V
晶体管类型: NPN 电压-集射极击穿（最大值）: 80V 频率-跃迁: - 噪声系数（dB，不同f时的典型值）: - 增益: 8.32dB 功率-最大值: 350W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: - 电流-集电极（Ic）（最大值）: 17A 工作温度: 200°C（TJ） 安装类型: 底座安装 封装/外壳: - 供应商器件封装: -
MRF174
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
描述: 射频 Mosfet N 通道 28V 2A 150MHz 11.8dB 125W 211-11，2 型
类别: 分立半导体产品 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 晶体管类型: N 通道 频率: 150MHz 增益: 11.8dB 电压-测试: 28V 额定电流（安培）: 13A 噪声系数: 3dB 电流-测试: 2A 功率-输出: 125W 电压-额定: 65V 封装/外壳: 211-11，2 型 供应商器件封装: 211-11，2 型
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
描述: 射频 Mosfet N 通道 28V 2A 150MHz 11.8dB 125W 211-11，2 型
类别: 分立半导体产品 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 晶体管类型: N 通道 频率: 150MHz 增益: 11.8dB 电压-测试: 28V 额定电流（安培）: 13A 噪声系数: 3dB 电流-测试: 2A 功率-输出: 125W 电压-额定: 65V 封装/外壳: 211-11，2 型 供应商器件封装: 211-11，2 型
MA4AGSW1A
供应商: DigiKey
分类: 射频开关
描述: IC RF SWITCH SPST 50GHZ DIE
RF类型: 通用 拓扑: 吸收 电路: SPST 频率范围: 50MHz ~ 50GHz 隔离: 46dB 插入损耗: 0.3dB 测试频率: 50GHz P1dB: - IIP3: - 特性: - 阻抗: - 电压-电源: - 工作温度: -55°C ~ 125°C 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
供应商: DigiKey
分类: 射频开关
描述: IC RF SWITCH SPST 50GHZ DIE
RF类型: 通用 拓扑: 吸收 电路: SPST 频率范围: 50MHz ~ 50GHz 隔离: 46dB 插入损耗: 0.3dB 测试频率: 50GHz P1dB: - IIP3: - 特性: - 阻抗: - 电压-电源: - 工作温度: -55°C ~ 125°C 封装/外壳: 模具 供应商器件封装: 模具
MAPS-010144-TR0500
供应商: DigiKey
分类: RF 其它 IC 和模块
描述: RF IC 相移 雷达 2.3GHz ~ 3.8GHz 24-PQFN（4x4）
类别: 射频/IF 和 RFID 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 功能: 相移 频率: 2.3GHz ~ 3.8GHz RF类型: 雷达 辅助属性: - 封装/外壳: 24-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 24-PQFN（4x4）
供应商: DigiKey
分类: RF 其它 IC 和模块
描述: RF IC 相移 雷达 2.3GHz ~ 3.8GHz 24-PQFN（4x4）
类别: 射频/IF 和 RFID 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 包装: 带卷（TR） 零件状态: 在售 功能: 相移 频率: 2.3GHz ~ 3.8GHz RF类型: 雷达 辅助属性: - 封装/外壳: 24-VFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 24-PQFN（4x4）
JANTX1N827UR-1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
类别: 分立半导体产品 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: 军用，MIL-PRF-19500/127 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 6.2V 容差: ±5% 功率-最大值: 500mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 15 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 2µA @ 3V 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-213AA 供应商器件封装: DO-213AA
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 齐纳 - 单
描述: Zener Diode 6.2V 500mW ±5% Surface Mount DO-213AA
类别: 分立半导体产品 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: 军用，MIL-PRF-19500/127 包装: 散装 零件状态: 在售 电压-齐纳（标称值）（Vz）: 6.2V 容差: ±5% 功率-最大值: 500mW 阻抗（最大值）（Zzt）: 15 Ohms 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 2µA @ 3V 工作温度: -65°C ~ 175°C 安装类型: 表面贴装 封装/外壳: DO-213AA 供应商器件封装: DO-213AA
MAAP-011246-TR0500
供应商: DigiKey
分类: RF 放大器
描述: 射频放大器 IC VSAT 27.5GHz ~ 31GHz 32-AQFN（5x5）
类别: 射频/IF 和 RFID 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 频率: 27.5GHz ~ 31GHz P1dB: 30dBm 增益: 22dB 噪声系数: - RF类型: VSAT 电压-电源: 6V 电流-电源: 1.4A 测试频率: - 封装/外壳: 32-LFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 32-AQFN（5x5）
供应商: DigiKey
分类: RF 放大器
描述: 射频放大器 IC VSAT 27.5GHz ~ 31GHz 32-AQFN（5x5）
类别: 射频/IF 和 RFID 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 包装: Digi-Reel® 零件状态: 在售 频率: 27.5GHz ~ 31GHz P1dB: 30dBm 增益: 22dB 噪声系数: - RF类型: VSAT 电压-电源: 6V 电流-电源: 1.4A 测试频率: - 封装/外壳: 32-LFQFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 32-AQFN（5x5）
MRF1000MB
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
描述: RF Transistor NPN 20V 200mA 0.7W Chassis Mount 332A-03, Style 2
类别: 分立半导体产品 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN 电压-集射极击穿（最大值）: 20V 频率-跃迁: - 噪声系数（dB，不同f时的典型值）: - 增益: 10.7dB ~ 12dB 功率-最大值: 0.7W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 10 @ 100mA，5V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 200mA 工作温度: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 332A-02 供应商器件封装: 332A-03，2 型
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极 (BJT) - 射频
描述: RF Transistor NPN 20V 200mA 0.7W Chassis Mount 332A-03, Style 2
类别: 分立半导体产品 制造商: M/A-Com Technology Solutions 系列: - 包装: 托盘 零件状态: 在售 晶体管类型: NPN 电压-集射极击穿（最大值）: 20V 频率-跃迁: - 噪声系数（dB，不同f时的典型值）: - 增益: 10.7dB ~ 12dB 功率-最大值: 0.7W 不同 Ic，Vce 时的DC电流增益（hFE）（最小值）: 10 @ 100mA，5V 电流-集电极（Ic）（最大值）: 200mA 工作温度: - 安装类型: 底座安装 封装/外壳: 332A-02 供应商器件封装: 332A-03，2 型
JANTXV1N4148UR-1
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA
二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 75V 电流-平均整流（Io）: 200mA（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 50mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 5ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 500nA @ 75V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-213AA 供应商器件封装: DO-213AA 工作温度-结: -65°C ~ 175°C
供应商: DigiKey
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE GEN PURP 75V 200MA DO213AA
二极管类型: 标准 电压-DC反向（Vr）（最大值）: 75V 电流-平均整流（Io）: 200mA（DC） 不同If时的电压-正向（Vf: 1.2V @ 50mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 反向恢复时间（trr）: 5ns 不同 Vr时的电流-反向漏电流: 500nA @ 75V 不同 Vr，F时的电容: - 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: DO-213AA 供应商器件封装: DO-213AA 工作温度-结: -65°C ~ 175°C
MAAM-011220-TR1000
供应商: DigiKey
分类: RF 放大器
描述: AMPLIFIER,CATV,45-1218MHZ,SOT-89
封装/外壳: TO-243AA 供应商器件封装: SOT-89
供应商: DigiKey
分类: RF 放大器
描述: AMPLIFIER,CATV,45-1218MHZ,SOT-89
封装/外壳: TO-243AA 供应商器件封装: SOT-89