REASUNOS
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RSU12N65D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,6A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):450mΩ@10V,6A
RSU12N65F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):420mΩ@10V,6A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):420mΩ@10V,6A
RSM1701K0W
供应商: LCSC
供应商: LCSC
RS9N90F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.2Ω TO220F-3
封装/外壳: TO220F-3 安装类型: DIP 品牌: REASUNOS 漏源电压(Vdss): 900V 连续漏极电流Id@25℃: 9A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=9A RDS(ON)=1.2Ω TO220F-3
封装/外壳: TO220F-3 安装类型: DIP 品牌: REASUNOS 漏源电压(Vdss): 900V 连续漏极电流Id@25℃: 9A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm
RS6N90F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=6A RDS(ON)=1.7Ω TO220F-3
封装/外壳: TO220F-3 安装类型: DIP 品牌: REASUNOS 漏源电压(Vdss): 900V 连续漏极电流Id@25℃: 6A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=900V VGS=±30V ID=6A RDS(ON)=1.7Ω TO220F-3
封装/外壳: TO220F-3 安装类型: DIP 品牌: REASUNOS 漏源电压(Vdss): 900V 连续漏极电流Id@25℃: 6A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 10.16 x 4.70mm