REASUNOS
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商品列表
RS12N65F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>680m</SPAN>Ω@10V,6A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>680m</SPAN>Ω@10V,6A
RS20N90D
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5mΩ@4.5V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：90A 功率(Pd)：80W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5mΩ@4.5V,20A
RS3400E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5.8A
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 品牌: REASUNOS 连续漏极电流Id@25℃: 5.8A 漏源电压(Vdss): 30V 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：5.8A 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：35mΩ@10V,5.8A
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 品牌: REASUNOS 连续漏极电流Id@25℃: 5.8A 漏源电压(Vdss): 30V 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm
RS100N135T
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=135A RDS(ON)=3.7mΩ TO220-3
封装/外壳: TO220-3 安装类型: DIP 品牌: REASUNOS 连续漏极电流Id@25℃: 135A 漏源电压(Vdss): 100V 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.50mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=135A RDS(ON)=3.7mΩ TO220-3
封装/外壳: TO220-3 安装类型: DIP 品牌: REASUNOS 连续漏极电流Id@25℃: 135A 漏源电压(Vdss): 100V 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 10.00 x 4.50mm
RS7N65MD
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=7A RDS(ON)=1.1Ω TO251-3
安装类型: DIP 封装/外壳: TO251-3 品牌: REASUNOS 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流Id@25℃: 7A 极性: N-Channel 长x宽/尺寸: 6.50 x 2.30mm
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=650V VGS=±30V ID=7A RDS(ON)=1.1Ω TO251-3
安装类型: DIP 封装/外壳: TO251-3 品牌: REASUNOS 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流Id@25℃: 7A 极性: N-Channel 长x宽/尺寸: 6.50 x 2.30mm