PANASONIC(松下)
商品列表
EEHZC1E331V
供应商: element14 Asia-Pacific
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EEHZC1E331V
供应商: Avnet
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ECWFD2W474J
供应商: Avnet
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ECWFD2W474J
供应商: LCSC
供应商: LCSC
DB2S31600L
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SSMINI2
制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停产 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 100mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 10V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SSMini2-F5-B 工作温度 - 结: 125°C（最大） 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30V 反向恢复时间 (trr): 800ps 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 550mV @ 100mA 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 15µA @ 30V 基本产品编号: DB2S316
供应商: Anychip Mall
分类: 二极管 - 整流器 - 单
描述: DIODE SCHOTTKY 30V 100MA SSMINI2
制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: Digi-Key 停产 二极管类型: 肖特基 电流 - 平均整流 (Io): 100mA 速度: 小信号 =< 200mA（Io），任意速度 不同 Vr、F 时电容: 2pF @ 10V，1MHz 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: SC-79，SOD-523 供应商器件封装: SSMini2-F5-B 工作温度 - 结: 125°C（最大） 电压 - DC 反向 (Vr)（最大值）: 30V 反向恢复时间 (trr): 800ps 不同 If 时电压 - 正向 (Vf): 550mV @ 100mA 不同 Vr 时电流 - 反向泄漏: 15µA @ 30V 基本产品编号: DB2S316
MTM78E2B0LBF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFET-阵列-2-N-通道（双）-20V-4A-150mW-表面贴装型-WSMini8-F1-B
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.3V @ 1mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 2A，4V FET 类型: 2 N-通道（双） 漏源电压（Vdss）: 20V 功率 - 最大值: 150mW 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1100pF @ 10V 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - FET 功能: 标准
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFET-阵列-2-N-通道（双）-20V-4A-150mW-表面贴装型-WSMini8-F1-B
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4A 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.3V @ 1mA 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 25 毫欧 @ 2A，4V FET 类型: 2 N-通道（双） 漏源电压（Vdss）: 20V 功率 - 最大值: 150mW 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1100pF @ 10V 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - FET 功能: 标准
FCAB21490L1
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFET-阵列-2-N-通道（双）-3.5W（Ta）-表面贴装型-10-SMD
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3570pF @ 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V @ 1.11mA 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - FET 类型: 2 N-通道（双） 漏源电压（Vdss）: - 功率 - 最大值: 3.5W（Ta） 安装类型: 表面贴装型 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25nC @ 4V FET 功能: 标准 工作温度: 150°C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: MOSFET-阵列-2-N-通道（双）-3.5W（Ta）-表面贴装型-10-SMD
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 3570pF @ 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V @ 1.11mA 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - FET 类型: 2 N-通道（双） 漏源电压（Vdss）: - 功率 - 最大值: 3.5W（Ta） 安装类型: 表面贴装型 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 25nC @ 4V FET 功能: 标准 工作温度: 150°C
FC4B22270L1
供应商: Anychip Mall
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET-阵列-2-N-通道（双）-1.5W（Ta）-表面贴装型-ULGA004-W-1313-RA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - FET 类型: 2 N-通道（双） 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 910pF @ 10V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9nC @ 4V 漏源电压（Vdss）: - 功率 - 最大值: 1.5W（Ta） 安装类型: 表面贴装型 FET 功能: 标准 工作温度: 150°C 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V @ 310µA
供应商: Anychip Mall
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET-阵列-2-N-通道（双）-1.5W（Ta）-表面贴装型-ULGA004-W-1313-RA
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: - 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): - FET 类型: 2 N-通道（双） 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 910pF @ 10V 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 9nC @ 4V 漏源电压（Vdss）: - 功率 - 最大值: 1.5W（Ta） 安装类型: 表面贴装型 FET 功能: 标准 工作温度: 150°C 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.4V @ 310µA
MTMC8E2A0LBF
供应商: Anychip Mall
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET-阵列-2-N-通道（双）-20V-7A-1W-表面贴装型-W迷你型8-F1
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1450pF @ 10V 功率 - 最大值: 1W 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.3V @ 1mA FET 类型: 2 N-通道（双） 漏源电压（Vdss）: 20V 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - FET 功能: 标准
供应商: Anychip Mall
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET-阵列-2-N-通道（双）-20V-7A-1W-表面贴装型-W迷你型8-F1
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 7A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 21 毫欧 @ 2A，4.5V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1450pF @ 10V 功率 - 最大值: 1W 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1.3V @ 1mA FET 类型: 2 N-通道（双） 漏源电压（Vdss）: 20V 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - FET 功能: 标准
MTM684110LBF
供应商: Anychip Mall
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1
制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: 2 个 P 沟道（双） FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 1A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400pF @ 10V 功率 - 最大值: 1W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SMD，扁平引线 供应商器件封装: W迷你型8-F1 基本产品编号: MTM68411
供应商: Anychip Mall
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 阵列
描述: MOSFET 2P-CH 12V 4.8A WMINI8-F1
制造商: Panasonic Electronic Components 系列: - 包装: 卷带（TR） 零件状态: 有源 FET 类型: 2 个 P 沟道（双） FET 功能: 标准 漏源电压（Vdss）: 12V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 4.8A 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 32 毫欧 @ 1A，5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 1mA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: - 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1400pF @ 10V 功率 - 最大值: 1W 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 8-SMD，扁平引线 供应商器件封装: W迷你型8-F1 基本产品编号: MTM68411