MASPOWER
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ESTF60SS120US
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1.2kV 平均整流电流(Io):60A 正向压降(Vf):2.8V@60A 反向恢复时间(trr):75ns
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1.2kV 平均整流电流(Io):60A 正向压降(Vf):2.8V@60A 反向恢复时间(trr):75ns
MS6N120FT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):160W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5Ω@10V,4A 超高压MOS管
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):6A 功率(Pd):160W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5.5Ω@10V,4A 超高压MOS管
MS8N120FT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):260W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,4A 超高压MOS管
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1.2kV 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):260W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,4A 超高压MOS管
MS8N100FT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1kV 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):167W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,4A 超高压MOS管
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):1kV 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):167W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.8Ω@10V,4A 超高压MOS管
MS10N40HGT0
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):134W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):430mΩ@10V,5A 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):10A MOS管
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):10A 功率(Pd):134W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):430mΩ@10V,5A 漏源电压(Vdss):400V 连续漏极电流(Id):10A MOS管