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MPF40N25
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):310W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id):40A 功率(Pd):310W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):65mΩ@10V,20A
MPF20N50
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):230W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):260mΩ@10V,10A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):20A 功率(Pd):230W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):260mΩ@10V,10A
MPG80N08
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):80V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):12mΩ@10V,20A
MPG80N06
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):107W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):107W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):7mΩ@10V,20A
MD33N25
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id):33A 功率(Pd):198W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,16.5A 33A 250V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id):33A 功率(Pd):198W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,16.5A 33A 250V
C2073
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):150V 集电极电流(Ic):1.2A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,5V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):150V 集电极电流(Ic):1.2A 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@500mA,5V
MPF50N25
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):310W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,20A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):250V 连续漏极电流(Id):50A 功率(Pd):310W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):55mΩ@10V,20A
IRF530
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):31W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):80mΩ@10V,5A