SPS
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SM4805PRL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA 输入电容(Ciss@Vds):2.06nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):295pF@15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:2个P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.1V@250uA 输入电容(Ciss@Vds):2.06nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):295pF@15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
2SC3856T4TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:180V 电流:15A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):15A 集射极击穿电压(Vceo):180V 功率(Pd):130W
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:180V 电流:15A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):15A 集射极击穿电压(Vceo):180V 功率(Pd):130W
2SC3998T7TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:800V 电流:25A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):25A 集射极击穿电压(Vceo):800V 功率(Pd):250W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):4@20A,5V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:800V 电流:25A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):25A 集射极击穿电压(Vceo):800V 功率(Pd):250W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):4@20A,5V
2SA1941T6TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:140V 电流:10A PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):10A 集射极击穿电压(Vceo):140V 功率(Pd):100W
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:140V 电流:10A PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):10A 集射极击穿电压(Vceo):140V 功率(Pd):100W
SM140R50CT2TL
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):24A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.44nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):11pF@25V 工作温度:+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):500V 连续漏极电流(Id):24A 功率(Pd):35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):70nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.44nF@25V 反向传输电容(Crss@Vds):11pF@25V 工作温度:+150℃@(Tj)
2SA1746T5TL
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:50V 电流:12A PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):12A 集射极击穿电压(Vceo):50V 功率(Pd):60W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@5A,1V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:50V 电流:12A PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):12A 集射极击穿电压(Vceo):50V 功率(Pd):60W 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@5A,1V