FOSAN
商品列表
FS2310ALT1S10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：600pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：6A 功率(Pd)：1.45W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：20mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：600pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
SS8050LT1Y1
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 VCEO=20V Ic=1.5A Pc=300mW hFE=85~400
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: FOSAN 集电极-基极电压（VCBO）: 40V 原始制造商: FOSAN Semiconductor 包装: Tape/reel 极性: - 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 1.5A 集电极-发射极电压 VCEO: 20V 原产国家: China 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 1.00mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 400 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 VCEO=20V Ic=1.5A Pc=300mW hFE=85~400
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: FOSAN 集电极-基极电压（VCBO）: 40V 原始制造商: FOSAN Semiconductor 包装: Tape/reel 极性: - 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 集电极电流 Ic: 1.5A 集电极-发射极电压 VCEO: 20V 原产国家: China 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 1.00mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 400 引脚数: 3Pin