WEIDA
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BTB04-800CW
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: BTA04/BTB04系列4A双向晶闸管
安装类型: DIP 品牌: WEIDA 电压-通态（Vtm）（最大值）: 1.5V 功率耗散: 5W 原始制造商: Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd 包装: Tube packing 极性: Bidirectional 反向击穿电压: 800V 直流反向电流Ir Max: 0.5mA 长x宽/尺寸: 10.40 x 4.60mm 封装/外壳: TO220B 元件生命周期: Active 保持电流Ih最大值: 35mA 工作温度: -40℃~+125℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 50pcs 通道数: 1 可控硅类型: TRIAC 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: BTA04/BTB04系列4A双向晶闸管
安装类型: DIP 品牌: WEIDA 电压-通态（Vtm）（最大值）: 1.5V 功率耗散: 5W 原始制造商: Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd 包装: Tube packing 极性: Bidirectional 反向击穿电压: 800V 直流反向电流Ir Max: 0.5mA 长x宽/尺寸: 10.40 x 4.60mm 封装/外壳: TO220B 元件生命周期: Active 保持电流Ih最大值: 35mA 工作温度: -40℃~+125℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 50pcs 通道数: 1 可控硅类型: TRIAC 引脚数: 3Pin
BT137-800D
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: BT137系列8A双向晶闸管
安装类型: SMT 品牌: WEIDA 电压-通态（Vtm）（最大值）: 1.6V 功率耗散: 5W 原始制造商: Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/reel 极性: Bidirectional Vrrm反向重复峰值电压: 800V 反向击穿电压: 800V 直流反向电流Ir Max: 0.5mA 长x宽/尺寸: 7.51 x 6.80mm 封装/外壳: TO252-4R 元件生命周期: Active 保持电流Ih最大值: 10mA 工作温度: -40℃~+125℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 通道数: 1 可控硅类型: TRIAC
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: BT137系列8A双向晶闸管
安装类型: SMT 品牌: WEIDA 电压-通态（Vtm）（最大值）: 1.6V 功率耗散: 5W 原始制造商: Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/reel 极性: Bidirectional Vrrm反向重复峰值电压: 800V 反向击穿电压: 800V 直流反向电流Ir Max: 0.5mA 长x宽/尺寸: 7.51 x 6.80mm 封装/外壳: TO252-4R 元件生命周期: Active 保持电流Ih最大值: 10mA 工作温度: -40℃~+125℃ 配置: 单路 原产国家: China 最小包装: 2500pcs 通道数: 1 可控硅类型: TRIAC
BCX54
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:45V 电流:1A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):45V 功率(Pd):1.3W
安装类型: SMT 功率耗散: 1.3W 原始制造商: Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 跃迁频率: 130MHz 集电极与基极之间电压 VCBO: 45V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.55mm 封装/外壳: SOT89 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 1A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 40 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V Vce饱和压降(Max): 500mV 高度: 1.60mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:45V 电流:1A NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):1A 集射极击穿电压(Vceo):45V 功率(Pd):1.3W
安装类型: SMT 功率耗散: 1.3W 原始制造商: Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 跃迁频率: 130MHz 集电极与基极之间电压 VCBO: 45V 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.55mm 封装/外壳: SOT89 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 1A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 40 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V Vce饱和压降(Max): 500mV 高度: 1.60mm 引脚数: 3Pin
SS310A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 表面安装肖特基二极管反向电压 20 ~ 200 V正向电流 3.0 A
安装类型: SMT 品牌: WEIDA 原始制造商: Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV@3A 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.80mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 100A 平均整流电流: 3A 最小包装: 5000pcs Vf正向峰值电压: 850mV 高度: 2.45mm 结电容: 300pF 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 表面安装肖特基二极管反向电压 20 ~ 200 V正向电流 3.0 A
安装类型: SMT 品牌: WEIDA 原始制造商: Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV@3A 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.80mm 封装/外壳: SMA(DO-214AC) 反向漏电流IR: 10µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 100A 平均整流电流: 3A 最小包装: 5000pcs Vf正向峰值电压: 850mV 高度: 2.45mm 结电容: 300pF 引脚数: 2Pin
SS510B
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：850mV@5A
反向漏电流IR: 100μA@100V 安装类型: SMT 封装/外壳: DO-214AA(SMB) 反向耐压VR: 100V 高度: 2.29mm 正向压降VF: 850mV@5A 长x宽/尺寸: 4.38 x 3.62mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：100V 平均整流电流(Io)：5A 正向压降(Vf)：850mV@5A
反向漏电流IR: 100μA@100V 安装类型: SMT 封装/外壳: DO-214AA(SMB) 反向耐压VR: 100V 高度: 2.29mm 正向压降VF: 850mV@5A 长x宽/尺寸: 4.38 x 3.62mm 引脚数: 2Pin
BTB16-800CW
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: BTA16/BTB16系列16A双向晶闸管
安装类型: DIP 电压-通态（Vtm）（最大值）: 1.5V 功率耗散: 5W 原始制造商: Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd 包装: Tube packing 极性: Bidirectional 反向击穿电压: 800V 直流反向电流Ir Max: 1mA 封装/外壳: TO220B 元件生命周期: Active 保持电流Ih最大值: 60mA 配置: Single 原产国家: China 最小包装: 50pcs 通道数: 1Channel 功率耗散（最大值）: 5W 通态电流It(RMS)(Max): 16 A 可控硅类型: TRIAC 工作温度(Tj): -40~+125℃ 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: BTA16/BTB16系列16A双向晶闸管
安装类型: DIP 电压-通态（Vtm）（最大值）: 1.5V 功率耗散: 5W 原始制造商: Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd 包装: Tube packing 极性: Bidirectional 反向击穿电压: 800V 直流反向电流Ir Max: 1mA 封装/外壳: TO220B 元件生命周期: Active 保持电流Ih最大值: 60mA 配置: Single 原产国家: China 最小包装: 50pcs 通道数: 1Channel 功率耗散（最大值）: 5W 通态电流It(RMS)(Max): 16 A 可控硅类型: TRIAC 工作温度(Tj): -40~+125℃ 引脚数: 3Pin
S8050
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN 25V 500mA TO92
安装类型: 插件 品牌: WEIDA 功率耗散: 625mW 原始制造商: Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 25V Vce饱和压降: 600mV 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Bag Packing 极性: NPN 跃迁频率: 150MHz 封装/外壳: TO92-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 4.70mm DC电流增益(hFE): 85~300
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 NPN 25V 500mA TO92
安装类型: 插件 品牌: WEIDA 功率耗散: 625mW 原始制造商: Jiangsu Weida Semiconductor Co., Ltd 集电极-基极电压（VCBO）: 25V Vce饱和压降: 600mV 集射极击穿电压Vce(Max): 40V 包装: Bag Packing 极性: NPN 跃迁频率: 150MHz 封装/外壳: TO92-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China 最小包装: 1000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 4.70mm DC电流增益(hFE): 85~300