KUU

AO3401
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：60mΩ@10V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.2V@250uA 工作温度：+150℃@(Tj)
安装类型: SMT 品牌: KUU 阈值电压: -1.2V 原始制造商: KUU SEMICONDUCTOR 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 4.1A 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 漏极电流: 1µA 栅极源极击穿电压: ±12V 工作温度: +150℃ 充电电量: 14nC 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 71mΩ 输入电容: 645pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 栅极电荷(Qg): 10nC 高度: 1.15mm 零件状态: Active

K1812L010DR
供应商: Anychip Mall
分类: 自恢复保险丝
描述: 最大电压：60V 最大电流：10A 保持电流：100mA 跳闸电流：300mA PPTC自恢复保险丝

BAT54S
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：30V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1V@100mA 反向电流(Ir)：2uA@25V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: KUU 总电容C: 10pF 原始制造商: KUU SEMICONDUCTOR 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 反向漏电流IR: 2µA 元件生命周期: Active 原产国家: China 反向峰值电压（最大值）: 30V 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 功率耗散（最大值）: 200mW 反向恢复时间(trr): 5ns 正向压降VF Max: 1V 零件状态: Active 引脚数: 3Pin

P0080SB
供应商: Anychip Mall
分类: TVS晶闸管/半导体放电管
描述: 封装/外壳：SMB

KPESD36VS1BA
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：36V 击穿电压(VBR)：40V 钳位电压(Vc)@Ipp：75V 反向截止电压(Vrwm)：36V 击穿电压(最小值)：40V 峰值脉冲电流(Ipp)@tp=8/20μs：5A 最大钳位电压：75V

PESD3V3L1BA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 封装/外壳：SOD-323 反向工作电压Vrwm：3.3V 反向击穿电压Vbr：4V 钳位电压Vc：10.5V 峰值脉冲电流Ipp：20A

KUBD32C05L01
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件

SMF16CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管（TVS）
描述: 极性：双向 反向截止电压(Vrwm)：16V 击穿电压：17.8V 最大钳位电压：26V

SI2301
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3A 功率(Pd)：1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：90mΩ@4.5V,2.8A

K1210L200/8AR
供应商: Anychip Mall
分类: 自恢复保险丝
描述: 最大电压：8V 最大电流：40A 保持电流：2A 跳闸电流：4A PPTC自恢复保险丝