YONGYUTAI

SI2305
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：3.9A 功率(Pd)：1200mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,3.9A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250μA 工作温度：+150℃@(Tj)

US1D
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：200V 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1V@1A 反向恢复时间(trr)：50ns 快恢复/超快恢复二极管

13001
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：450V 集电极电流(Ic)：200mA 功率(Pd)：625mW

MMSZ3V3CW
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123 反向漏电流Ir：5uA @ 1V 功率：500mW 齐纳电压Vz：3.3V 齐纳阻抗Zzt：95 Ohms

BAV99
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: 二极管配置：1对串联式 功率：225mW 直流反向耐压(Vr)：70V 平均整流电流(Io)：200mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：6ns
二极管配置: 1对串联式 安装类型: SMT 品牌: YONGYUTAI 总电容C: 1.5pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.30mm 反向漏电流IR: 2.5µA 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 原产国家: China 反向耐压VR: 70V 平均整流电流: 200mA 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 6ns 正向压降VF Max: 715mV 零件状态: Active 高度: 0.98mm 引脚数: 3Pin

S9015
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT-23 -45V -0.1A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: YONGYUTAI 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW 集射极击穿电压Vce(Max): 45V Vce饱和压降: 300mV 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: China 特征频率(fT): 150MHz 零件状态: Active 晶体管类型: PNP DC电流增益(hFE): 80 引脚数: 3Pin

ES3D
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复/超快恢复二极管
描述: SMB

ES1006FL
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.7V@1A 反向电流(Ir)：5μA@1kV 通用二极管

BZV55C4V3
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 稳压二极管

BZT52B5V1
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳：SOD-123 反向漏电流Ir：2uA @ 2V 功率：500mW 齐纳电压Vz：5.1V 齐纳阻抗Zzt：60 Ohms