JSCJ
商品列表
B5817W
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOD123塑料封装二极管 VR=20V IO=1A IR=1mA
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: JSCJ 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 450mV 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.70mm 反向漏电流IR: 1mA 封装/外壳: SOD-123 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+125℃(TJ) 原产国家: China 速度: 快速恢复=200mA（Io） 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 20V 反向耐压VR: 20V 平均整流电流: 1A 工作温度-结: -65°C~125°C 反向恢复时间(trr): -
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOD123塑料封装二极管 VR=20V IO=1A IR=1mA
湿气敏感性等级 (MSL): 1（无限） 二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: JSCJ 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 450mV 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.70mm 反向漏电流IR: 1mA 封装/外壳: SOD-123 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+125℃(TJ) 原产国家: China 速度: 快速恢复=200mA（Io） 二极管类型: Schottky 反向峰值电压（最大值）: 20V 反向耐压VR: 20V 平均整流电流: 1A 工作温度-结: -65°C~125°C 反向恢复时间(trr): -
2N7002K
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=340mA Pd=350mW SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: - 阈值电压: 2.5V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 额定功率: 350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 900mΩ@10V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 340mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 10pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 输入电容: 40pF 应用等级: Industrial 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel Vdss=60V Id=340mA Pd=350mW SOT23
安装类型: SMT 击穿电压: - 阈值电压: 2.5V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 额定功率: 350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 900mΩ@10V 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 340mA 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 10pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 输入电容: 40pF 应用等级: Industrial 漏源电压(Vdss): 60V 零件状态: Active
S9015
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 封装/外壳：SOT-23 功率耗散Pd：200mW 晶体管类型：PNP 集电极-发射极最大电压VCEO：-45V 集电极连续电流：-100mA
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 封装/外壳：SOT-23 功率耗散Pd：200mW 晶体管类型：PNP 集电极-发射极最大电压VCEO：-45V 集电极连续电流：-100mA
CJ2302
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23-3
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 阈值电压: 1.2V 额定功率: 400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@4.5V,3.6A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.1A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 80pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 300pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4nC 高度: 1.15mm 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23-3
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 阈值电压: 1.2V 额定功率: 400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 35mΩ@4.5V,3.6A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 2.1A 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 80pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 输入电容: 300pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): 4nC 高度: 1.15mm 类型: 1个N沟道 引脚数: 3Pin
MMBT3904
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
MMDT2907A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 2个PNP 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：200mW SOT363
安装类型: SMT 功率耗散: 200mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 60V 集电极-发射极击穿电压: -60V 极性: PNP 集电极与基极之间电压 VCBO: -60V 封装/外壳: SOT363 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 原产国家: China 最小包装: 3000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100~300 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V Vce饱和压降(Max): 1.6V 零件状态: Active 高度: 1.00mm 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 2个PNP 集射极击穿电压(Vceo)：60V 集电极电流(Ic)：600mA 功率(Pd)：200mW SOT363
安装类型: SMT 功率耗散: 200mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 60V 集电极-发射极击穿电压: -60V 极性: PNP 集电极与基极之间电压 VCBO: -60V 封装/外壳: SOT363 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 原产国家: China 最小包装: 3000pcs DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100~300 发射极与基极之间电压 VEBO: -5V Vce饱和压降(Max): 1.6V 零件状态: Active 高度: 1.00mm 引脚数: 6Pin
S9013
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 SOT23-3 NPN VCEO=25V Ic=500mA
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 集电极-基极电压（VCBO）: 40V 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 600mV 包装: Tape/reel 极性: NPN 跃迁频率: 150MHz 印字代码: J3 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23-3 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 1.15mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 40 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 通用三极管 SOT23-3 NPN VCEO=25V Ic=500mA
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 集电极-基极电压（VCBO）: 40V 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 600mV 包装: Tape/reel 极性: NPN 跃迁频率: 150MHz 印字代码: J3 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23-3 工作温度: +150℃ 配置: 单路 原产国家: China 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 1.15mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 40 引脚数: 3Pin
CJ13-250001210B20
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
BCX53
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT89 1A 50MHz 500mW
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 集电极-基极电压（VCBO）: 100V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 极性: PNP 跃迁频率: 50MHz 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 高度: 1.60mm DC电流增益(hFE): 63 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT89 1A 50MHz 500mW
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 集电极-基极电压（VCBO）: 100V Vce饱和压降: 500mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 极性: PNP 跃迁频率: 50MHz 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 零件状态: Active 高度: 1.60mm DC电流增益(hFE): 63 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
DTA114ECA
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: AD-DTA114E系列数字晶体管（内置电阻器）
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 功率耗散: 200mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: PNP 跃迁频率: 250MHz 集电极电流Ic(Max): 100mA 存储温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 封装/外壳: SOT23-3 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: China 功率耗散（最大值）: 200mW 认证信息: AEC-Q101 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active 高度: 1.10mm 引脚数: 3Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: AD-DTA114E系列数字晶体管（内置电阻器）
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 功率耗散: 200mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: PNP 跃迁频率: 250MHz 集电极电流Ic(Max): 100mA 存储温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 封装/外壳: SOT23-3 集电极电流 Ic: 100mA 原产国家: China 功率耗散（最大值）: 200mW 认证信息: AEC-Q101 工作温度(Tj): -55~+150℃ 零件状态: Active 高度: 1.10mm 引脚数: 3Pins