JSCJ
商品列表
FMMT619
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 NPN Ic=2A Vceo=50V hfe=100 fT=100MHz SOT23
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 350mW 额定功率: 350mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极-发射极电压 VCEO: 50V 集电极电流 Ic: 2A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 Vce饱和压降(Max): 50V 高度: 1.15mm 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 三极管 NPN Ic=2A Vceo=50V hfe=100 fT=100MHz SOT23
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 350mW 额定功率: 350mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 集电极-发射极电压 VCEO: 50V 集电极电流 Ic: 2A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 Vce饱和压降(Max): 50V 高度: 1.15mm 晶体管类型: NPN 引脚数: 3Pin
MMSZ5232B
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=5.6V 5.32V~5.88V Izt=20mA P=500mW SOD123
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 最大耗散功率: 500mW 稳压值Vz: 5.6V 容差Tol: - Izt-测试电流: 20mA 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 反向电流Izt: 20mA 正向压降VF: - 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOD123 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 系列: - 原产国家: China 标准稳压值: 5.6V 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 应用: 消费级
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=5.6V 5.32V~5.88V Izt=20mA P=500mW SOD123
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 最大耗散功率: 500mW 稳压值Vz: 5.6V 容差Tol: - Izt-测试电流: 20mA 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 反向电流Izt: 20mA 正向压降VF: - 存储温度: -55℃~+150℃ 反向漏电流IR: 5μA 封装/外壳: SOD123 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 系列: - 原产国家: China 标准稳压值: 5.6V 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 应用: 消费级
BAT54S
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
供应商: CHIPMALL.COM LIMITED
A92
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: PNP Ic=-200mA Vceo=-305V hfe=100~300 fT=50MHz P=500mW SOT-89-3L
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 500mW 额定功率: 500mW 集射极击穿电压Vce(Max): 305V 跃迁频率: 50MHz 封装/外壳: SOT89 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 305V 集电极电流 Ic: 200mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 Vce饱和压降(Max): 200mV 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: PNP Ic=-200mA Vceo=-305V hfe=100~300 fT=50MHz P=500mW SOT-89-3L
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 500mW 额定功率: 500mW 集射极击穿电压Vce(Max): 305V 跃迁频率: 50MHz 封装/外壳: SOT89 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 305V 集电极电流 Ic: 200mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 Vce饱和压降(Max): 200mV 晶体管类型: PNP
CJ2305
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 功率耗散: 350mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 900mV 连续漏极电流Id@25℃: 4.1A 包装: Tape/reel 存储温度: -50℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 740pF 反向传输电容Crss: 190pF 工作温度: -50℃~+150℃ 漏极电流Idss: 4.1A 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30mΩ 漏源电压(Vdss): 12V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT23-3
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 功率耗散: 350mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 阈值电压Vgs(th): 900mV 连续漏极电流Id@25℃: 4.1A 包装: Tape/reel 存储温度: -50℃~+150℃ 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 输入电容Ciss: 740pF 反向传输电容Crss: 190pF 工作温度: -50℃~+150℃ 漏极电流Idss: 4.1A 原产国家: China 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 30mΩ 漏源电压(Vdss): 12V 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道
CJ2305A
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT-23塑料封装MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 功率耗散: 1.3mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.1A 反向击穿电压: 50V 存储温度: -50℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 190pF 输入电容Ciss: 740pF 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: -50℃~+150℃ 应用等级: Consumer 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT-23塑料封装MOSFET
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 功率耗散: 1.3mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 4.1A 反向击穿电压: 50V 存储温度: -50℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT23 元件生命周期: Active 反向传输电容Crss: 190pF 输入电容Ciss: 740pF 栅极源极击穿电压: ±8V 工作温度: -50℃~+150℃ 应用等级: Consumer 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 12V 零件状态: Active
CJ3400
供应商: Anychip Mall
分类: 通用MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23 FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±12V 漏源极电压Vds：30V
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 350mW 额定功率: 350mW 阈值电压Vgs(th): 1.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.8A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容Ciss: 1.05nF 工作温度: +150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 35mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用MOSFET
描述: 封装/外壳：SOT-23 FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±12V 漏源极电压Vds：30V
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 350mW 额定功率: 350mW 阈值电压Vgs(th): 1.4V 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 5.8A 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±12V 输入电容Ciss: 1.05nF 工作温度: +150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 35mΩ 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 高度: 1.15mm 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
MMBT4403(100-300)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-600mA Vceo=-40V hfe=100~300 fT=200MHz P=300mW SOT-23
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 300mW 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V Vce饱和压降: 400mV 跃迁频率: 200MHz 封装/外壳: SOT23 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 集电极电流 Ic: 600mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-600mA Vceo=-40V hfe=100~300 fT=200MHz P=300mW SOT-23
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 300mW 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 40V Vce饱和压降: 400mV 跃迁频率: 200MHz 封装/外壳: SOT23 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 40V 集电极电流 Ic: 600mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 100 晶体管类型: PNP
MMSZ5250B
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: SOD-123塑料封装二极管
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 最大耗散功率: 350mW 品牌: JSCJ 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 21V 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.70mm 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD123 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 标准稳压值: 20V 最小稳压值: 19V 反向耐压VR: 15V 正向压降VF Max: 900mV 高度: 1.25mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: SOD-123塑料封装二极管
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 最大耗散功率: 350mW 品牌: JSCJ 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 最大稳压值: 21V 长x宽/尺寸: 2.80 x 1.70mm 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD123 元件生命周期: Active 工作温度: -65℃~+150℃ 原产国家: China 标准稳压值: 20V 最小稳压值: 19V 反向耐压VR: 15V 正向压降VF Max: 900mV 高度: 1.25mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
DTC143XCA
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: NPN Ic=100mA Vcc=50V fT=250MHz P=200mW SOT-23
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 品牌: JSCJ 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW Vce饱和压降: 300mV 集射极击穿电压Vce(Max): 50V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 30 跃迁频率: 250MHz 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: NPN Ic=100mA Vcc=50V fT=250MHz P=200mW SOT-23
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 品牌: JSCJ 工作温度: +150℃ 集电极电流 Ic: 100mA 功率耗散: 200mW 额定功率: 200mW Vce饱和压降: 300mV 集射极击穿电压Vce(Max): 50V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 30 跃迁频率: 250MHz 晶体管类型: NPN