JSCJ
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S9012L(120-200)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-500mA Vceo=-25V hfe=120~200 fT=150MHz P=300mW
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 品牌: JSCJ 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 功率耗散: 300mW 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 跃迁频率: 150MHz 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-500mA Vceo=-25V hfe=120~200 fT=150MHz P=300mW
安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 品牌: JSCJ 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 功率耗散: 300mW 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 跃迁频率: 150MHz 晶体管类型: PNP
B772Y(160-320)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-3A Vceo=-30V hfe=160~320 fT=50MHz P=1.25W Y档
安装类型: DIP 品牌: JSCJ 功率耗散: 1.25W 额定功率: 1.25W 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 跃迁频率: 50MHz 封装/外壳: SOT89 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 30V 集电极电流 Ic: 3A DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 Vce饱和压降(Max): 500mV 晶体管类型: PNP
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-3A Vceo=-30V hfe=160~320 fT=50MHz P=1.25W Y档
安装类型: DIP 品牌: JSCJ 功率耗散: 1.25W 额定功率: 1.25W 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 跃迁频率: 50MHz 封装/外壳: SOT89 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 30V 集电极电流 Ic: 3A DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 Vce饱和压降(Max): 500mV 晶体管类型: PNP
SMF8.5CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: SOD-123FL塑料封装二极管
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 钳位电压 VC: 14.4V 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 10.4V 长x宽/尺寸: 2.75 x 1.80mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOD123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -55~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 13.8A 系列: SMF 极性（单双向）: 双向 通道数: 1Channel 最小包装: 3000pcs 电压-断态: 8.5V 高度: 1.15mm 零件状态: Active 反向击穿电压Min: 9.44V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: SOD-123FL塑料封装二极管
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 钳位电压 VC: 14.4V 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 10.4V 长x宽/尺寸: 2.75 x 1.80mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: SOD123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -55~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 13.8A 系列: SMF 极性（单双向）: 双向 通道数: 1Channel 最小包装: 3000pcs 电压-断态: 8.5V 高度: 1.15mm 零件状态: Active 反向击穿电压Min: 9.44V
2N7002KDWSOT-363
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 SOT-363 N沟道 60V 340mA 5Ω 150mW
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 阈值电压: 1.3V 额定功率: 150mW 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 340mA 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 封装/外壳: SOT-363 漏极电流: 1µA 工作温度: -55℃~+150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.3Ω 脚间距: 0.65mm 输入电容: 40pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 30nC 零件状态: Active 高度: 1.10mm 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 SOT-363 N沟道 60V 340mA 5Ω 150mW
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 阈值电压: 1.3V 额定功率: 150mW 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 340mA 长x宽/尺寸: 2.20 x 1.35mm 封装/外壳: SOT-363 漏极电流: 1µA 工作温度: -55℃~+150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 5.3Ω 脚间距: 0.65mm 输入电容: 40pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 60V 栅极电荷(Qg): 30nC 零件状态: Active 高度: 1.10mm 引脚数: 6Pin
CJU20N06
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=20A VDS=60V TO252-2
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 1.25W 阈值电压Vgs(th): 3V 连续漏极电流Id@25℃: 20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO252-2 漏极电流Idss: 20A 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 45mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 2.38mm 晶体管类型: N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-channel Id=20A VDS=60V TO252-2
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 功率耗散: 1.25W 阈值电压Vgs(th): 3V 连续漏极电流Id@25℃: 20A 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 封装/外壳: TO252-2 漏极电流Idss: 20A 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 45mΩ 最小包装: 2500pcs 漏源电压(Vdss): 60V 高度: 2.38mm 晶体管类型: N沟道
CJ78L05
供应商: Anychip Mall
分类: LDO(低压差线性稳压器)
描述: 封装/外壳：TO-92
安装类型: DIP 输出配置: Positive 品牌: JSCJ 电源抑制比(PSRR): 49dB 拓扑结构: 升压 压差: 1.7V@40mA 输出端数: 1 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.70mm 输出类型: 固定 封装/外壳: TO92 工作温度: -40℃~+125℃ 负荷调节: 15mV 输出电流: 100mA 静态电流: 3.8mA 输出电压精度: ±3% 输出电压: 5V 输出电压（最小值/固定）: 5V 高度: 4.70mm 引脚数: 3Pins
供应商: Anychip Mall
分类: LDO(低压差线性稳压器)
描述: 封装/外壳：TO-92
安装类型: DIP 输出配置: Positive 品牌: JSCJ 电源抑制比(PSRR): 49dB 拓扑结构: 升压 压差: 1.7V@40mA 输出端数: 1 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.70 x 3.70mm 输出类型: 固定 封装/外壳: TO92 工作温度: -40℃~+125℃ 负荷调节: 15mV 输出电流: 100mA 静态电流: 3.8mA 输出电压精度: ±3% 输出电压: 5V 输出电压（最小值/固定）: 5V 高度: 4.70mm 引脚数: 3Pins
MCR100-6
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: SOT-89-3L塑料封装晶闸管 可控硅 1通道400V
安装类型: SMT 通态电压压降（V-TM）: 1.7V 栅极触发电流: 200µA 栅极触发电流(Max): 200µA 断态电压: 400V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 电流-断态（最大值）: 10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）: - 栅极触发电压: 800mV 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 原产国家: China 栅极触发电压(Max): 800mV 最小包装: 1000pcs 通态电流It(RMS)(Max): 800 mA 可控硅类型: SCR 通态平均电流（IT-AV）: - 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ) 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: SOT-89-3L塑料封装晶闸管 可控硅 1通道400V
安装类型: SMT 通态电压压降（V-TM）: 1.7V 栅极触发电流: 200µA 栅极触发电流(Max): 200µA 断态电压: 400V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 电流-断态（最大值）: 10µA 电流-不重复浪涌50，60Hz（Itsm）: - 栅极触发电压: 800mV 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 原产国家: China 栅极触发电压(Max): 800mV 最小包装: 1000pcs 通态电流It(RMS)(Max): 800 mA 可控硅类型: SCR 通态平均电流（IT-AV）: - 工作温度(Tj): -55~+150℃(TJ) 零件状态: Active
BC337-25
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=800mA Vceo=45V hfe=160~400 P=625mW TO-92
安装类型: DIP 品牌: JSCJ 功率耗散: 625mW 额定功率: 625mW 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 700mV 跃迁频率: 210MHz 封装/外壳: TO92 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 800mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 Vce饱和压降(Max): 700mV 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=800mA Vceo=45V hfe=160~400 P=625mW TO-92
安装类型: DIP 品牌: JSCJ 功率耗散: 625mW 额定功率: 625mW 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 700mV 跃迁频率: 210MHz 封装/外壳: TO92 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 800mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 Vce饱和压降(Max): 700mV 晶体管类型: NPN
ESDBL5V0Y1
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 WBFBP-02C-A Bidirectional VR=5V VC=10V P=40W IPP=4A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 钳位电压 VC: 10V 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 8.3V 长x宽/尺寸: 1.05 x 0.65mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: WBFBP-02C-A 结电容Cj: 15pF 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 极性（单双向）: 双向 原产国家: China 通道数: 1 最小包装: 10000pcs 电压-断态: 5V 高度: 0.55mm 反向击穿电压Min: 5.8V
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 WBFBP-02C-A Bidirectional VR=5V VC=10V P=40W IPP=4A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: JSCJ 钳位电压 VC: 10V 包装: Tape/Reel 反向击穿电压Max: 8.3V 长x宽/尺寸: 1.05 x 0.65mm 存储温度: -55~+150℃ 封装/外壳: WBFBP-02C-A 结电容Cj: 15pF 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 4A 极性（单双向）: 双向 原产国家: China 通道数: 1 最小包装: 10000pcs 电压-断态: 5V 高度: 0.55mm 反向击穿电压Min: 5.8V
2SD2391
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=2A Vceo=60V hfe=120~270 fT=210MHz P=500mW
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 额定功率: 500mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 60V 包装: Tape/reel 跃迁频率: 210MHz 集电极与基极之间电压 VCBO: 60V 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 60V 集电极电流 Ic: 2A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 Vce饱和压降(Max): 350mV 高度: 1.60mm 晶体管类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=2A Vceo=60V hfe=120~270 fT=210MHz P=500mW
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 额定功率: 500mW 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 集射极击穿电压Vce(Max): 60V 包装: Tape/reel 跃迁频率: 210MHz 集电极与基极之间电压 VCBO: 60V 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT89-3 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 60V 集电极电流 Ic: 2A 原产国家: China DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 Vce饱和压降(Max): 350mV 高度: 1.60mm 晶体管类型: NPN