JSCJ

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BCX56
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 封装/外壳:SOT-89-3L 功率耗散Pd:500mW 晶体管类型:NPN 集电极-发射极最大电压VCEO:80V 集电极连续电流:1A
封装/外壳: SOT-89-3L
BAT54S
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 30V 100mA SOT23
二极管配置: 串联 安装类型: SMT 正向压降VF: 1V@100mA 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 封装/外壳: SOT-23 反向漏电流IR: 2μA@25V 反向耐压VR: 30V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 600mA 平均整流电流: 100mA 反向恢复时间(trr): 5ns 正向压降VF Max: 1V 高度: 1.15mm 引脚数: 3Pin
1N4148WST4
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 封装/外壳:SOD-323
封装/外壳: SOD-323
BSS84
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs P-Channel SOT23-3 Vdss=50V Id=130mA Pd=225mW
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 击穿电压: 50V 阈值电压: 2V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 连续漏极电流: 130mA 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 5pF 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 原产国家: China 输入电容: 30pF 应用等级: Industrial 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 50V 零件状态: Active 高度: 1.15mm 类型: 1个P沟道
BSS123
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs N-Channel VDS=100V VGS=±20V ID=170mA RDS(ON)=6Ω SOT23-3
安装类型: SMT 品牌: JSCJ 击穿电压: 100V 阈值电压: 2.8V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 170mA 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 不同 Id,Vgs时的 RdsOn(最大值): 6Ω 原产国家: China 输入电容: 29pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 100V 栅极电荷(Qg): 1.4nC 零件状态: Active 引脚数: 3Pin
1N4148WT4
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 开关二极管 VR=100V IF=300mA Trr=4ns P=350mW SOD123
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 最大耗散功率: 350mW Vr - 反向电压: - 包装: Tape/Reel 正向压降VF Min: 715mV 反向耐压VR(max): 100V 正向压降VF: 1.25V 封装/外壳: SOD123 反向漏电流IR: 1μA 元件生命周期: Active 工作温度: -55~+150℃(TJ) 组态: - 平均整流电流IF: 150mA 电流-DC正向(If): 300mA 反向峰值电压(最大值): 100V 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 4ns 正向压降VF Max: 1.25V 零件状态: Active
MMBT5401
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 封装/外壳:SOT-23 功率耗散Pd:300mW 晶体管类型:PNP 集电极-发射极最大电压VCEO:-150V 集电极连续电流:-600mA
封装/外壳: SOT-23
BSS138
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOSFETs SOT23-3 N-Channel VDSS=50V ID=220mA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 功率耗散: 350mW 击穿电压: 50V 阈值电压: 1.5V 额定功率: 360mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id): 3.5Ω@10V,220mA 包装: Tape/reel 极性: N-沟道 连续漏极电流: 220mA 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 栅极源极击穿电压: ±20V 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 应用等级: Industrial 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 50V 应用: Consumer, Industrial, 类型: 1个N沟道
BAV21W
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管(小信号)
描述: 开关二极管VR=200V VF=1.25V IR=0.1μA SOD123
安装类型: SMT 二极管配置: 单路 总电容C: 5pF 原始制造商: JIANGSU CHANGJIANG ELEC TECH. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1.25V 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD-123 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃(TJ) 系列: BAV19W - BAV21W 原产国家: China 反向耐压VR: 200V 平均整流电流: 200mA 功率耗散(最大值): 500mW 工作温度-结: -55°C~150°C 反向恢复时间(trr): 50ns 零件状态: Active 引脚数: 2Pin 应用: 通用
BAT54A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 VR=30V IF=1A IR=200mA CT=10pF SOT23
二极管配置: Common Anode 安装类型: SMT 正向电流: 200mA 品牌: JSCJ 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 1V 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.30mm 封装/外壳: SOT-23 反向漏电流IR: 2µA 工作温度: -40℃~+125℃(TJ) 二极管类型: Schottky 反向峰值电压(最大值): 30V 反向耐压VR: 30V 平均整流电流: 200mA 功率耗散(最大值): 200mW 认证信息: RoHS 反向恢复时间(trr): 5ns 正向压降VF Max: 1V 高度: 1.15mm 引脚数: 3Pin