KY

KY2002KNC
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：750mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：250mΩ@4.5V,0.5A

TYN8012
供应商: Anychip Mall
分类: 晶闸管(可控硅)
描述: 可控硅类型：单向可控硅 通态RMS电流(It(rms))：80A 浪涌电流(Itsm@f)：800A 门极平均耗散功率(PG(AV))：1W 晶闸管(可控硅)/模块 80A Standard SCRs IT(RMS):80A VGT: 1.5V VDRM VRRM:1200V TJ：-40-125℃

TYN7516
供应商: Anychip Mall
分类: 晶闸管(可控硅)
描述: 晶闸管(可控硅)/模块 75A Standard SCRs IT(RMS):75A VGT: 1.3V VDRM VRRM:1600V TJ:-40-150℃

BTA12-800BW
供应商: Anychip Mall
分类: 晶闸管(可控硅)
描述: 可控硅类型：双向可控硅 通态RMS电流(It(rms))：12A 浪涌电流(Itsm@f)：126A 门极平均耗散功率(PG(AV))：1W 12A Insulated 3 Quadrants TRIACs IT(RMS): 12A VGT: ≤1.3V VDRM VRRM:800V TJ:-40~125℃

BTB16-800BW
供应商: Anychip Mall
分类: 晶闸管(可控硅)
描述: 可控硅类型：双向可控硅 通态RMS电流(It(rms))：16A 浪涌电流(Itsm@f)：180A 门极平均耗散功率(PG(AV))：1W

KY2302S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：400mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：53mΩ@4.5V,2A 类型：20V 2A N-Channel Mosfet ● RDS(ON) ≤ 80mΩ ( 53mΩ Typ.) @VGS=4.5V ● RDS(ON) ≤ 115mΩ ( 72mΩ Typ.) @VGS=2.5V ● Load Switch for Portable Devices ● DC/DC Converter

TYN8016
供应商: Anychip Mall
分类: 晶闸管(可控硅)
描述: 可控硅类型：单向可控硅 通态RMS电流(It(rms))：80A 浪涌电流(Itsm@f)：800A 门极平均耗散功率(PG(AV))：1W 晶闸管(可控硅)/模块 80A Standard SCRs IT(RMS):80A VGT: 1.5V VDRM VRRM:1600V TJ：-40-125℃

BTB12-800SW
供应商: Anychip Mall
分类: 晶闸管(可控硅)
描述: 可控硅类型：双向可控硅 通态RMS电流(It(rms))：12A 浪涌电流(Itsm@f)：126A 门极平均耗散功率(PG(AV))：1W 3 Quadrants TRIACs IT(RMS): 12A VGT≤1.3V：VDRM VRRM:800V/1000V TJ:-40~125℃

TYN625
供应商: Anychip Mall
分类: 晶闸管(可控硅)
描述: 可控硅类型：单向可控硅 通态RMS电流(It(rms))：25A 浪涌电流(Itsm@f)：300A 门极平均耗散功率(PG(AV))：1W

KY6800
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：3.6A 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：30mΩ@10V,3.6A