MSKSEMI
商品列表
SMF30A
供应商: Anychip Mall
分类: 单向TVS二极管
描述: 封装/外壳:SOD-123FL 反向击穿电压Vbr:33.3V 钳位电压Vc:48.4V 反向工作电压Vrwm:30V
供应商: Anychip Mall
分类: 单向TVS二极管
描述: 封装/外壳:SOD-123FL 反向击穿电压Vbr:33.3V 钳位电压Vc:48.4V 反向工作电压Vrwm:30V
BZT52C3V0S
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳:SOD-323 反向漏电流Ir:10uA @ 1V 功率:200mW 齐纳电压Vz:3V 齐纳阻抗Zzt:95 Ohms
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳:SOD-323 反向漏电流Ir:10uA @ 1V 功率:200mW 齐纳电压Vz:3V 齐纳阻抗Zzt:95 Ohms
PESD5V0S1BB-MS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 功耗(PD):150mW IPP:4A 钳位电压(VC): 12V 工作电压(VRWM):5V 击穿电压VBR):5.6V-7.8V 结电容(CJ):15PF
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 功耗(PD):150mW IPP:4A 钳位电压(VC): 12V 工作电压(VRWM):5V 击穿电压VBR):5.6V-7.8V 结电容(CJ):15PF
P0640SC-MS
供应商: Anychip Mall
分类: TVS晶闸管/半导体放电管
描述: 反向截止电压(Vdrm):58V 反向漏电流(Idrm):5uA 开关电压(Vs):77V 维持电流(Ih):120mA 通态电压(Vt):4V 通态电流(It):2.2A 断态电容(Co):95pF DO-214AA/SMB 半导体放电管/防雷管 6KV
供应商: Anychip Mall
分类: TVS晶闸管/半导体放电管
描述: 反向截止电压(Vdrm):58V 反向漏电流(Idrm):5uA 开关电压(Vs):77V 维持电流(Ih):120mA 通态电压(Vt):4V 通态电流(It):2.2A 断态电容(Co):95pF DO-214AA/SMB 半导体放电管/防雷管 6KV
BAT54
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V@100mA KL1
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V@100mA KL1
ESD5344D-MS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: DFN2510-10L VC:15V 0.6pF
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 电源电压: 5V 功率-峰值脉冲: 150W 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.60 x 1.10mm 反向断态电压: 5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN2510-10L 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 3A 击穿电压 V(BR)-min: 6V 通道数: 4 结电容: 0.6pF 高度: 0.65mm 零件状态: Active 应用: Consumer 引脚数: 10Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: DFN2510-10L VC:15V 0.6pF
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 电源电压: 5V 功率-峰值脉冲: 150W 极性: 单向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 2.60 x 1.10mm 反向断态电压: 5V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: DFN2510-10L 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 3A 击穿电压 V(BR)-min: 6V 通道数: 4 结电容: 0.6pF 高度: 0.65mm 零件状态: Active 应用: Consumer 引脚数: 10Pin
ESD9B5VL-MS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):30W 反向峰值脉冲电流(IPP):2A 钳位电压(VC): 15V 工作电压(VRWM):5V 击穿电压VBR):5.5V-9.5V 结电容(CJ):3PF-3.5PF
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):30W 反向峰值脉冲电流(IPP):2A 钳位电压(VC): 15V 工作电压(VRWM):5V 击穿电压VBR):5.5V-9.5V 结电容(CJ):3PF-3.5PF
1N5819HW-MS
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOD123 I(o):1A 120pF
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 总电容C: 120pF 原始制造商: Mason semiconductor 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 900mV@3A 反向击穿电压: 40V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 1mA 元件生命周期: Active 工作温度: +125℃ 二极管类型: Single 反向峰值电压(最大值): 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 1A 功率耗散(最大值): 500mW 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOD123 I(o):1A 120pF
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 总电容C: 120pF 原始制造商: Mason semiconductor 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 900mV@3A 反向击穿电压: 40V 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOD-123 反向漏电流IR: 1mA 元件生命周期: Active 工作温度: +125℃ 二极管类型: Single 反向峰值电压(最大值): 40V 反向耐压VR: 40V 平均整流电流: 1A 功率耗散(最大值): 500mW 正向压降VF Max: 900mV 零件状态: Active
BZT52C3V9
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳:SOD-123 反向漏电流Ir:3uA @ 1V 功率:500mW 齐纳电压Vz:3.9V 齐纳阻抗Zzt:90 Ohms
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳:SOD-123 反向漏电流Ir:3uA @ 1V 功率:500mW 齐纳电压Vz:3.9V 齐纳阻抗Zzt:90 Ohms