MSKSEMI
商品列表
SMF48A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:单向 反向截止电压(Vrwm):48V 击穿电压:53.3V 反向漏电流(Ir):1uA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.6A 最大钳位电压:77.4V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:200W
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:单向 反向截止电压(Vrwm):48V 击穿电压:53.3V 反向漏电流(Ir):1uA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:2.6A 最大钳位电压:77.4V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:200W
MSK3419DF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFET
描述: 封装/外壳:DFN3X3-8L FET类型:P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:18mΩ@-10A,-4.5V Pd-功率耗散(Max):3.57W 工作温度:-55℃~150℃
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFET
描述: 封装/外壳:DFN3X3-8L FET类型:P-Channel Rds On(Max)@Id,Vgs:18mΩ@-10A,-4.5V Pd-功率耗散(Max):3.57W 工作温度:-55℃~150℃
MSK100N03DF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):62.5W 100N03 2040 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V 6Ω@4.5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 功率(Pd):62.5W 100N03 2040 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):100A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):4mΩ@10V 6Ω@4.5V, 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.0V@250uA
ZMM16-MS
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 此款稳压二极管采用LL34圆柱封装,他具备Vznom为16V,因其可靠性和灵活性,在多个行业和应用中扮演关键角色,包括但不限于消费电子、通信设备、计算机外设、工业控制、医疗设备及汽车电子等领域
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 此款稳压二极管采用LL34圆柱封装,他具备Vznom为16V,因其可靠性和灵活性,在多个行业和应用中扮演关键角色,包括但不限于消费电子、通信设备、计算机外设、工业控制、医疗设备及汽车电子等领域
MSKSM05
供应商: Anychip Mall
分类: TVS二极管
描述: 峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):350W 最大反向峰值脉冲电流(IPP):24A 最大钳位电压(VC):16V 工作电压(VRWM):5V 最小击穿电压VBR):4V 结电容(CJ):400PF
供应商: Anychip Mall
分类: TVS二极管
描述: 峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):350W 最大反向峰值脉冲电流(IPP):24A 最大钳位电压(VC):16V 工作电压(VRWM):5V 最小击穿电压VBR):4V 结电容(CJ):400PF
BZT52C4V3
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳:SOD-123 反向漏电流Ir:3uA @ 1V 功率:500mW 齐纳电压Vz:4.3V 齐纳阻抗Zzt:90 Ohms
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳:SOD-123 反向漏电流Ir:3uA @ 1V 功率:500mW 齐纳电压Vz:4.3V 齐纳阻抗Zzt:90 Ohms
SMF36CA
供应商: Anychip Mall
分类: 双向TVS二极管
描述: 封装/外壳:SOD-123FL 反向击穿电压Vbr:40V 钳位电压Vc:58.1V 反向工作电压Vrwm:36V 峰值脉冲电流Ipp:3.4A
供应商: Anychip Mall
分类: 双向TVS二极管
描述: 封装/外壳:SOD-123FL 反向击穿电压Vbr:40V 钳位电压Vc:58.1V 反向工作电压Vrwm:36V 峰值脉冲电流Ipp:3.4A
PESD3V3L1BA-MS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):480W 最大反向峰值脉冲电流(IPP):20A 最大钳位电压(VC):24V 工作电压(VRWM):3.3V 最小击穿电压VBR):4V 结电容(CJ):100PF
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):480W 最大反向峰值脉冲电流(IPP):20A 最大钳位电压(VC):24V 工作电压(VRWM):3.3V 最小击穿电压VBR):4V 结电容(CJ):100PF