MSKSEMI
商品列表
ESD12VV1BL-MS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: AF
安装类型: SMT 原始制造商: Mason semiconductor 功率-峰值脉冲: 150W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.08 x 0.68mm 反向断态电压: 12V 封装/外壳: DFN1006-2 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 8A 原产国家: China Taiwan 击穿电压 V(BR)-min: 14.5V 最小包装: 10000pcs 通道数: 1 认证信息: RoHS 结电容: 8.5pF 高度: 0.52mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: AF
安装类型: SMT 原始制造商: Mason semiconductor 功率-峰值脉冲: 150W 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.08 x 0.68mm 反向断态电压: 12V 封装/外壳: DFN1006-2 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流(Ipp): 8A 原产国家: China Taiwan 击穿电压 V(BR)-min: 14.5V 最小包装: 10000pcs 通道数: 1 认证信息: RoHS 结电容: 8.5pF 高度: 0.52mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
ESD12VU1UT-MS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 封装/外壳:SOT-23 反向工作电压Vrwm:12V 反向击穿电压Vbr:13.3V 钳位电压Vc:32V 峰值脉冲电流Ipp:5A
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 封装/外壳:SOT-23 反向工作电压Vrwm:12V 反向击穿电压Vbr:13.3V 钳位电压Vc:32V 峰值脉冲电流Ipp:5A
ESD9B5.0ST5G-MS
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):80W 钳位电压(VC): 10V 工作电压(VRWM):5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR):5.6V-8.4V 结电容(CJ):15PF-18PF
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器
描述: 峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):80W 钳位电压(VC): 10V 工作电压(VRWM):5V 反向峰值脉冲电流(IPP):8A 最小击穿电压VBR):5.6V-8.4V 结电容(CJ):15PF-18PF
MSPESD5Z12
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ZM 峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):200W 最大反向峰值脉冲电流(IPP):5A 最大钳位电压(VC):30V 工作电压(VRWM):12V 最小击穿电压VBR):13.5V 结电容(CJ):55PF
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: ZM 峰值脉冲功率(tp=8/20s)(PPP):200W 最大反向峰值脉冲电流(IPP):5A 最大钳位电压(VC):30V 工作电压(VRWM):12V 最小击穿电压VBR):13.5V 结电容(CJ):55PF
BZT52C9V1
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳:SOD-123 反向漏电流Ir:500nA @ 6V 功率:500mW 齐纳电压Vz:9.1V 齐纳阻抗Zzt:15 Ohms
供应商: Anychip Mall
分类: 稳压(齐纳)二极管
描述: 封装/外壳:SOD-123 反向漏电流Ir:500nA @ 6V 功率:500mW 齐纳电压Vz:9.1V 齐纳阻抗Zzt:15 Ohms