DOESHARE
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DP2301S
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.3nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：177pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：25pF@10V 工作温度：-50℃~+150℃@(Tj) PMOS -20V -2.3A RDS(on)=140mΩ
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：2.3A 功率(Pd)：1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：125mΩ@4.5V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：600mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：5.3nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：177pF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：25pF@10V 工作温度：-50℃~+150℃@(Tj) PMOS -20V -2.3A RDS(on)=140mΩ
BAS16
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置：独立式 功率：225mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：4ns
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置：独立式 功率：225mW 直流反向耐压(Vr)：75V 平均整流电流(Io)：150mA 正向压降(Vf)：1.25V@150mA 反向恢复时间(trr)：4ns
DN3134KT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：750mA 功率(Pd)：275mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：220mΩ@4.5V,750mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：21pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@15V 工作温度：+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：750mA 功率(Pd)：275mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：220mΩ@4.5V,750mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：750mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：21pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：8pF@15V 工作温度：+150℃@(Tj)