FUXINSEMI

MMBT5401
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:-150V 电流:-600mA PNP 晶体管类型:PNP 集电极电流(Ic):-600mA 集射极击穿电压(Vceo):-150V 功率(Pd):300mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@-10mA,-5V

P4SMA6.8CA
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 双向TVS 5.8V截止 40A峰值脉冲 反向截止电压(Vrwm):5.8V 最大钳位电压:10.5V 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000us:40A 击穿电压:6.45V

GBU2010
供应商: Anychip Mall
分类: 整流桥
描述: 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：20A 正向压降(Vf)：1.2V@20A 反向电流(Ir)：5μA@1kV 正向浪涌电流(Ifsm)：300A 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

BTB16-600BW
供应商: Anychip Mall
分类: 晶闸管(可控硅)

FESD15BD3
供应商: Anychip Mall
分类: 静电放电(ESD)保护器件
描述: FESD15BD3 极性:双向 线路数:1 反向截止电压(Vrwm):15V 类型:ESD二极管 击穿电压(VBR):16.7V 接触放电(VESD):25kV 钳位电压(Vc)@Ipp:35V

FS1012ET
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:20V 电流:700mA 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):700mA 功率(Pd):300mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@4.5V,0.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA

BTB16Q-600BW
供应商: Anychip Mall
分类: 晶闸管(可控硅)

FR107W
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 直流反向耐压(Vr)：1kV 平均整流电流(Io)：1A 正向压降(Vf)：1.3V@1A 反向电流(Ir)：5uA@1kV 反向恢复时间(trr)：500ns 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

MMBT3904
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:40V 电流:200mA NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):40V 功率(Pd):200mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):300@10mA,1V

S8050
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型：NPN 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW