ASCEND
商品列表
ASDM40N80Q
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.56nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds):80pF@20V 工作温度:+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):80A 功率(Pd):65W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):3.5mΩ@10V,50A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):29nC@10V 输入电容(Ciss@Vds):1.56nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds):80pF@20V 工作温度:+150℃@(Tj)
ASDM3400ZA/SOT23
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):35mΩ@10V,5A