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ASDM20N12ZB-R
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：950mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：1.035nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：150pF@20V 工作温度：+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：12A 功率(Pd)：1.14W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11.5mΩ@4.5V,5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：950mV@250uA 输入电容(Ciss@Vds)：1.035nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：150pF@20V 工作温度：+150℃@(Tj)