ASCEND

ASDM12N65F-T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

ASPL431AZA/SOT23
供应商: Anychip Mall
分类: 电压基准芯片
描述: 输出类型：可调 输入电压：40V 输出电压：2.5V~36V

ASDM30N65E-R
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：32A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：4.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.7V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：9nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：1.113nF@15V 反向传输电容(Crss@Vds)：55pF@15V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

ASDM100R090NP-T
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

ASDM40N52E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

ASDM20N60KQ-R
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N型MOS管@@VDS20V,ID60A,RDS(on),Typ@VGS=10V5mR

ASDM3400ZA-R
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管（MOSFET）
描述: N沟道 耐压:30V 电流:5.8A

ASDM65N18S/SOP8
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：65V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：2.5W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA

ASDM20P09ZB-R
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：9A 功率(Pd)：1.8W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：16mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：700mV@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：15nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds)：1.2nF@10V 反向传输电容(Crss@Vds)：90pF@10V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)

ASPL78L05-DI-R
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器(LDO)