TWGMC
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ESD05V52D-C
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 200W -55 ~ +155℃ 5V
安装类型: SMT 钳位电压: 18.6V 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.20 x 0.80mm 封装/外壳: SOD-523(SC-79) 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 9.4A 高度: 0.60mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 5.6V 引脚数: 2Pin 应用: General Purpose
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 200W -55 ~ +155℃ 5V
安装类型: SMT 钳位电压: 18.6V 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 功率-峰值脉冲: 200W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.20 x 0.80mm 封装/外壳: SOD-523(SC-79) 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 9.4A 高度: 0.60mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 5.6V 引脚数: 2Pin 应用: General Purpose
S8550SOT23
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 功率耗散: 300mW 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 600mV 跃迁频率: 150MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China Taiwan 高度: 1.10mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 200 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: 晶体管类型：PNP 集射极击穿电压(Vceo)：25V 集电极电流(Ic)：500mA 功率(Pd)：300mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib)：600mV@500mA,50mA 直流电流增益(hFE@Ic,Vce)：200@50mA,1V 特征频率(fT)：150MHz 工作温度：+150℃@(Tj)
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 功率耗散: 300mW 额定功率: 300mW 集射极击穿电压Vce(Max): 25V Vce饱和压降: 600mV 跃迁频率: 150MHz 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.65mm 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: +150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 原产国家: China Taiwan 高度: 1.10mm 零件状态: Active DC电流增益(hFE): 200 晶体管类型: PNP 引脚数: 3Pin
AO3401
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT-23塑料封装MOSFETS VDS=30V ID=4.2A PD=350mW P-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: TWGMC 击穿电压: 30V 功率耗散: 350mW 阈值电压: 1.3V@250μA 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: +150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 954pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 类型: P沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT-23塑料封装MOSFETS VDS=30V ID=4.2A PD=350mW P-Channel
安装类型: SMT 是否无铅: No 品牌: TWGMC 击穿电压: 30V 功率耗散: 350mW 阈值电压: 1.3V@250μA 原始制造商: Taiwan shike Electronics co.,ltd 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.2A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: SOT-23 反向传输电容Crss: 77pF 工作温度: +150℃ 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 75mΩ 原产国家: China Taiwan 输入电容: 954pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 类型: P沟道
DSK36
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOD123FL
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 总电容C: 160pF 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 封装/外壳: SOD-123FL 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -55°C~125°C 正向压降VF Max: 700mV 零件状态: Active 应用: 消费级
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: SOD123FL
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 总电容C: 160pF 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 700mV 封装/外壳: SOD-123FL 反向漏电流IR: 500µA 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 二极管类型: Schottky 反向耐压VR: 60V 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: -55°C~125°C 正向压降VF Max: 700mV 零件状态: Active 应用: 消费级
ESD24V32D-C
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 150W -55 ~ +155℃ 24V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 56V 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 功率-峰值脉冲: 150W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.25mm 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 高度: 0.90mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 26.7V 应用: General Purpose 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 150W -55 ~ +155℃ 24V
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 钳位电压: 56V 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 功率-峰值脉冲: 150W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.25mm 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 高度: 0.90mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 26.7V 应用: General Purpose 引脚数: 2Pin
ESD3Z5V0
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 200W -55 ~ +155℃ 5V
安装类型: SMT 钳位电压: 11.6V 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 最大工作电压(DC): 36V 电源电压: 36V 功率-峰值脉冲: 300W 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 9.4A 高度: 1.05mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 5.6V 应用: General Purpose 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: 200W -55 ~ +155℃ 5V
安装类型: SMT 钳位电压: 11.6V 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 最大工作电压(DC): 36V 电源电压: 36V 功率-峰值脉冲: 300W 长x宽/尺寸: 1.70 x 1.30mm 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 9.4A 高度: 1.05mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 5.6V 应用: General Purpose 引脚数: 2Pin
ESD56241D22
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS二极管 VRWM=24V VBR(Min)=26.7V VC=43V IPP=3A Ppp=150W SOD323
安装类型: SMT 钳位电压: 43V 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 功率-峰值脉冲: 150W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.35mm 反向断态电压: 24V 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 通道数: 2 结电容: 1.5pF@1MHz 高度: 1.00mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 26.7V 引脚数: 2Pin 应用: General Purpose
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: TVS二极管 VRWM=24V VBR(Min)=26.7V VC=43V IPP=3A Ppp=150W SOD323
安装类型: SMT 钳位电压: 43V 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 功率-峰值脉冲: 150W 极性: 双向 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.35mm 反向断态电压: 24V 封装/外壳: SOD-323 工作温度: -40℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: 3A 通道数: 2 结电容: 1.5pF@1MHz 高度: 1.00mm 零件状态: Active 击穿电压 -min: 26.7V 引脚数: 2Pin 应用: General Purpose
SMF60CA
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 SOD123FL 96.8V 1.8A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 电源电压: 60V 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SOD-123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 1.8A 系列: SMF 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 高度: 1.10mm 击穿电压 -min: 66.7V 应用: General Purpose 类型: 齐纳
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD抑制器/TVS二极管 SOD123FL 96.8V 1.8A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Twgmc 反向漏电流 IR: 1uA 电源电压: 60V 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 极性: 双向 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 封装/外壳: SOD-123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃(TJ) 峰值脉冲电流（Ipp）: 1.8A 系列: SMF 原产国家: China Taiwan 最小包装: 3000pcs 高度: 1.10mm 击穿电压 -min: 66.7V 应用: General Purpose 类型: 齐纳
SS110SMA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 Single VR=100V IF=1A SMA
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: TWGMC 总电容C: 90pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 封装/外壳: DO-214AC(SMA) 反向漏电流IR: 200µA 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+150℃(TJ) 二极管类型: Single 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 30A 平均整流电流: 1A 工作温度-结: -55°C~150°C 正向压降VF Max: 850mV 零件状态: Active 高度: 2.20mm
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 Single VR=100V IF=1A SMA
二极管配置: 单路 安装类型: SMT 品牌: TWGMC 总电容C: 90pF 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 850mV 长x宽/尺寸: 4.50 x 2.70mm 封装/外壳: DO-214AC(SMA) 反向漏电流IR: 200µA 元件生命周期: Active 工作温度: -50℃~+150℃(TJ) 二极管类型: Single 反向峰值电压（最大值）: 100V 反向耐压VR: 100V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 30A 平均整流电流: 1A 工作温度-结: -55°C~150°C 正向压降VF Max: 850mV 零件状态: Active 高度: 2.20mm
DSK24
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 Single VR=40V IF=2A IR=500μA CJ=220pF SOD123FL
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV@2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SOD-123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 40A 平均整流电流: 2A 结电容: 220pF 零件状态: Active 高度: 1.10mm
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 肖特基二极管 Single VR=40V IF=2A IR=500μA CJ=220pF SOD123FL
二极管配置: 独立式 安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: TWGMC 原始制造商: Twgmc Electronics Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 正向压降VF: 550mV@2A 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.90mm 反向漏电流IR: 500µA 封装/外壳: SOD-123FL 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃(TJ) 原产国家: China Taiwan 反向耐压VR: 40V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 40A 平均整流电流: 2A 结电容: 220pF 零件状态: Active 高度: 1.10mm