MATSUKI
商品列表
ME9435A
供应商: Bristol Electronics
供应商: Bristol Electronics
ME12P04
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：18.6A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>45m</SPAN>Ω@10V,12A P沟道,-40V,-18.6A,45mΩ@-10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：18.6A 功率(Pd)：25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>45m</SPAN>Ω@10V,12A P沟道,-40V,-18.6A,45mΩ@-10V
ME6980ED
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7.3A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@4.5V,5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：7.3A 功率(Pd)：1.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@4.5V,5A
ME1304AT3
供应商: Chip1Cloud
供应商: Chip1Cloud
ME4894A-G
供应商: Chip1Cloud
供应商: Chip1Cloud
ME60N03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：48.5A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,30A N沟道,30V,48.5A,13mΩ@4.5V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：48.5A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8.5mΩ@10V,30A N沟道,30V,48.5A,13mΩ@4.5V
ME20N03
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：39A 功率(Pd)：37W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA N沟道,30V,39A,20mΩ@4.5V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：39A 功率(Pd)：37W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250uA N沟道,30V,39A,20mΩ@4.5V
ME4946A
供应商: Chip1Cloud
供应商: Chip1Cloud
ME3424D-G
供应商: Chip1Cloud
供应商: Chip1Cloud
ME2320D
供应商: Chip1Cloud
供应商: Chip1Cloud