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LSB55R140GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):550V 连续漏极电流(Id):23A 功率(Pd):205W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,11.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):550V 连续漏极电流(Id):23A 功率(Pd):205W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,11.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LSE70R380GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):11A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):11A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LSG60R650HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):13.1nC@0~10V 输入电容(Ciss@Vds):481pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds):1.15pF@100V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):550mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):13.1nC@0~10V 输入电容(Ciss@Vds):481pF@100V 反向传输电容(Crss@Vds):1.15pF@100V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
LSH65R570GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):570mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):570mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LSC55R140GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):550V 连续漏极电流(Id):23A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,11.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):550V 连续漏极电流(Id):23A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,11.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LSG80R680GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):680mΩ@10V,4A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id):8A 功率(Pd):83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):680mΩ@10V,4A