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商品列表
LND4N80
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
LSNC65R380HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LSF65R380GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):125W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LSGF10R080W3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
LNG06R200
供应商: Anychip Mall
分类: LNG06R200
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):35A(Tc) 漏源电压(Vdss):60V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:25mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
LNC045R090
供应商: Anychip Mall
分类: LNC045R090
描述: 连续漏极电流(Id)(25°C 时):70A(Tc) 漏源电压(Vdss):45V 栅源极阈值电压:1.8V @ 250uA 漏源导通电阻:11.5mΩ @ 10A,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):83W(Tc) 类型:N沟道
LSE55R140GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):550V 连续漏极电流(Id):23A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):140mΩ@10V,11.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):5V@250μA
LSG65R380HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):11A 功率(Pd):90W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250μA
LSGC15R085W3
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
LSDN55R290GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)