LONTEN

LNG2N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LSC60R180HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：20A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：180mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSD65R099GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：35W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：99mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSD60R240HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：17A 功率(Pd)：33.2<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>W</SPAN> 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：240mΩ@10V,8.5A

LNG08R085
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LSG65R380GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：11A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：380mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LNG05R100
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：50V 连续漏极电流(Id)：64A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12.5mΩ@4.5V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250μA

LNN06R140
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：43A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：15mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.9V@250μA

LSE80R350GT
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：15A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：350mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

LNE08R085
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：80V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：147W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：11mΩ@4.5V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA