LONTEN
商品列表
LND2N65
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：27W 类型：N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2A 漏源电压（Vdss）：650V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.2Ω @ 1A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：27W 类型：N沟道
LDC60U08W4
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：8A 正向压降(Vf)：1.8V@8A 反向电流(Ir)：50μA@600V 反向恢复时间(trr)：19ns 工作温度：-50℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：600V 平均整流电流(Io)：8A 正向压降(Vf)：1.8V@8A 反向电流(Ir)：50μA@600V 反向恢复时间(trr)：19ns 工作温度：-50℃~+150℃@(Tj)
LSB60R066GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：54A 功率(Pd)：290W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：66mΩ@10V,27A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：54A 功率(Pd)：290W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：66mΩ@10V,27A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA
LSB65R041GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>78A</SPAN> 功率(Pd)：500W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,39A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>78A</SPAN> 功率(Pd)：500W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：41mΩ@10V,39A
LSGC04R029
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：62.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：42.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.718nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：85pF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：120A 功率(Pd)：62.6W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：42.5nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：3.718nF@20V 反向传输电容(Crss@Vds)：85pF@20V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)