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LSD60R380HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：31.8<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>W</SPAN> 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：380mΩ@10V,5.5A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：11A 功率(Pd)：31.8<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>W</SPAN> 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：380mΩ@10V,5.5A
LSB60R092GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：278W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：92mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：40A 功率(Pd)：278W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：92mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA
LSGN085R065W3
供应商: Anychip Mall
分类: LSGN085R065W3
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：114A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：138W(Tc) 类型：N沟道
供应商: Anychip Mall
分类: LSGN085R065W3
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：114A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：- 最大功率耗散（Ta=25°C）：138W(Tc) 类型：N沟道
LSG70R450GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：450mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：11A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：450mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA
LSH70R1KGT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.08Ω@10V,2A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.08Ω@10V,2A
LSG70R1KGT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.08Ω@10V,2A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.08Ω@10V,2A