LONTEN

LNND04R120
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：12mΩ@10V,12A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250μA

LSD60R170GF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：170mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：5V@250μA

LSH80R980GT
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：5A(Tc) 漏源电压（Vdss）：800V 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：980mΩ @ 2.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：- 类型：N沟道

LNC08R055W3
供应商: Anychip Mall
分类: MOS(场效应管)
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：120A(Tc) 漏源电压（Vdss）：85V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：5.5mΩ @ 50A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：189W(Tc) 类型：N沟道

LNG4N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：4A 功率(Pd)：77W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>2.7</SPAN>Ω@10V,2A

LSB80R350GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

LSG60R280HT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：15A 功率(Pd)：130W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：280mΩ@10V,7.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSF70R640GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: N沟道 耐压:700V 电流:7A 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):700V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):640mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4.5V@250uA

LSG70R640GT
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：700V 连续漏极电流(Id)：7A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：640mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4.5V@250μA

LSD60R105HF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)