ONSEMI
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MC100E151FN
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 触发器
描述: IC FF D-TYPE SNGL 6BIT 28PLCC
制造商: onsemi 系列: 100E 包装: 管件 零件状态: 停产 功能: 主复位 类型: D 型 输出类型: 补充型 元件数: 1 每个元件位数: 6 时钟频率: 1.1 GHz 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟: - 触发器类型: 正边沿 电流 - 输出高、低: - 电压 - 供电: -4.2V ~ -5.7V 电流 - 静态 (Iq): 78 mA 工作温度: 0°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 28-PLCC（11.51x11.51） 封装/外壳: 28-LCC（J 形引线） 基本产品编号: MC100E151
供应商: DigiKey
分类: 逻辑 - 触发器
描述: IC FF D-TYPE SNGL 6BIT 28PLCC
制造商: onsemi 系列: 100E 包装: 管件 零件状态: 停产 功能: 主复位 类型: D 型 输出类型: 补充型 元件数: 1 每个元件位数: 6 时钟频率: 1.1 GHz 不同 V、最大 CL 时最大传播延迟: - 触发器类型: 正边沿 电流 - 输出高、低: - 电压 - 供电: -4.2V ~ -5.7V 电流 - 静态 (Iq): 78 mA 工作温度: 0°C ~ 85°C（TA） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 28-PLCC（11.51x11.51） 封装/外壳: 28-LCC（J 形引线） 基本产品编号: MC100E151
FCP650N80Z
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
==onsemi<: >==SuperFET® II ==管件<: >零件状态==在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 650 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1565 pF @ 100 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 162W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 800V 10A TO220
==onsemi<: >==SuperFET® II ==管件<: >零件状态==在售 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 800 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 10A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 650 毫欧 @ 4A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4.5V @ 800µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 35 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±20V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 1565 pF @ 100 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 162W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-220 封装/外壳: TO-220-3
NCP623MN-33R2G
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LINEAR 3.3V 150MA 6DFN
==onsemi<: >==- 零件状态: 最后售卖 输出配置: 正 输出类型: 固定 稳压器数: 1 电压 - 输入（最大值）: 12V 电压 - 输出（最小值/固定）: 3.3V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.26V @ 150mA 电流 - 输出: 150mA 电流 - 静态 (Iq): 200 µA PSRR: 70dB（1kHz） 控制特性: 使能 保护功能: 超温，短路 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 6-DFN（3x3）
供应商: DigiKey
分类: PMIC - 稳压器 - 线性
描述: IC REG LINEAR 3.3V 150MA 6DFN
==onsemi<: >==- 零件状态: 最后售卖 输出配置: 正 输出类型: 固定 稳压器数: 1 电压 - 输入（最大值）: 12V 电压 - 输出（最小值/固定）: 3.3V 电压 - 输出（最大值）: - 电压降（最大值）: 0.26V @ 150mA 电流 - 输出: 150mA 电流 - 静态 (Iq): 200 µA PSRR: 70dB（1kHz） 控制特性: 使能 保护功能: 超温，短路 工作温度: -40°C ~ 85°C 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 6-VDFN 裸露焊盘 供应商器件封装: 6-DFN（3x3）
NCP1602BOOSTGEVB
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: EVAL BOARD NCP1602BOOSTG
制造商: onsemi 系列: - 包装: 盒 零件状态: 停产 类型: 电源管理 功能: 功率因数校正 嵌入式: - 使用的 IC/零件: NCP1602 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: - 基本产品编号: NCP1602
供应商: DigiKey
分类: 评估和演示板及套件
描述: EVAL BOARD NCP1602BOOSTG
制造商: onsemi 系列: - 包装: 盒 零件状态: 停产 类型: 电源管理 功能: 功率因数校正 嵌入式: - 使用的 IC/零件: NCP1602 主要属性: - 所含物品: 板 辅助属性: - 基本产品编号: NCP1602
FQA55N10
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
制造商: onsemi 系列: QFET® 包装: 管件 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 61A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 26 毫欧 @ 30.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 98 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2730 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3P 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 基本产品编号: FQA5
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET N-CH 100V 61A TO3P
制造商: onsemi 系列: QFET® 包装: 管件 零件状态: 停产 FET 类型: N 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 100 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 61A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 10V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 26 毫欧 @ 30.5A，10V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 4V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 98 nC @ 10 V Vgs（最大值）: ±25V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 2730 pF @ 25 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 190W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 175°C（TJ） 安装类型: 通孔 供应商器件封装: TO-3P 封装/外壳: TO-3P-3，SC-65-3 基本产品编号: FQA5
NCP1601BP
供应商: DigiKey
分类: PMIC - PFC（功率因数校正）
描述: IC PFC CTR CRM/TRANS 58KHZ 8DIP
制造商: onsemi 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 模式: 临界传导（CRM），间歇式（转换） 频率 - 开关: 58kHz 电流 - 启动: 17 µA 电压 - 供电: 9.6V ~ 18V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 基本产品编号: NCP1601
供应商: DigiKey
分类: PMIC - PFC（功率因数校正）
描述: IC PFC CTR CRM/TRANS 58KHZ 8DIP
制造商: onsemi 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 模式: 临界传导（CRM），间歇式（转换） 频率 - 开关: 58kHz 电流 - 启动: 17 µA 电压 - 供电: 9.6V ~ 18V 工作温度: -40°C ~ 125°C 安装类型: 通孔 封装/外壳: 8-DIP（0.300，7.62mm） 供应商器件封装: 8-PDIP 基本产品编号: NCP1601
2SD1802S-TL-E
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS NPN 50V 3A TPFA
==onsemi<: >==- 零件状态: 停产 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 140 @ 100mA，2V 功率 - 最大值: 1 W 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TP-FA
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
描述: TRANS NPN 50V 3A TPFA
==onsemi<: >==- 零件状态: 停产 晶体管类型: NPN 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）: 3 A 电压 - 集射极击穿（最大值）: 50 V 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）: 500mV @ 100mA，2A 电流 - 集电极截止（最大值）: 1µA（ICBO） 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）: 140 @ 100mA，2V 功率 - 最大值: 1 W 频率 - 跃迁: 150MHz 工作温度: 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 供应商器件封装: TP-FA
LA72914V-MPB-H
供应商: DigiKey
分类: 线性 - 视频处理
描述: IC VIDEO MOD/DEMOD 16SSOP
制造商: onsemi 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 功能: 调制器/解调器 应用: - 标准: - 控制接口: - 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-LSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 16-SSOP 基本产品编号: LA7291
供应商: DigiKey
分类: 线性 - 视频处理
描述: IC VIDEO MOD/DEMOD 16SSOP
制造商: onsemi 系列: - 包装: 管件 零件状态: 停产 功能: 调制器/解调器 应用: - 标准: - 控制接口: - 电压 - 供电: 4.5V ~ 5.5V 安装类型: 表面贴装型 封装/外壳: 16-LSSOP（0.173，4.40mm 宽） 供应商器件封装: 16-SSOP 基本产品编号: LA7291
FDMC6688P
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
==onsemi<: >==PowerTrench® 零件状态: 最后售卖 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Ta），56A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.5 毫欧 @ 14A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 61 nC @ 4.5 V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7435 pF @ 10 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.3W（Ta），30W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳: 8-PowerWDFN
供应商: DigiKey
分类: 晶体管 - FET，MOSFET - 单个
描述: MOSFET P-CH 20V 14A/56A 8PQFN
==onsemi<: >==PowerTrench® 零件状态: 最后售卖 FET 类型: P 通道 技术: MOSFET（金属氧化物） 漏源电压（Vdss）: 20 V 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id): 14A（Ta），56A（Tc） 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）: 1.8V，4.5V 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）: 6.5 毫欧 @ 14A，4.5V 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）: 1V @ 250µA 不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）: 61 nC @ 4.5 V Vgs（最大值）: ±8V 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）: 7435 pF @ 10 V FET 功能: - 功率耗散（最大值）: 2.3W（Ta），30W（Tc） 工作温度: -55°C ~ 150°C（TJ） 安装类型: 表面贴装型 供应商器件封装: 8-PQFN（3.3x3.3），Power33 封装/外壳: 8-PowerWDFN
NCP1606BOOSTGEVB
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
描述: EVAL BOARD FOR NCP1606BOOSTG
制造商: onsemi 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 主要用途: AC/DC，主面和辅面，带 PFC 输出和类型: 1，隔离 功率 - 输出: 100 W 电压 - 输出: 400V 电流 - 输出: 250mA 电压 - 输入: 88 ~ 264 VAC 稳压器拓扑: 升压 频率 - 开关: 250kHz 板类型: 完全填充 所含物品: 板 使用的 IC/零件: NCP1606 基本产品编号: NCP1606
供应商: DigiKey
分类: 评估板 - DC/DC 与 AC/DC（离线）SMPS
描述: EVAL BOARD FOR NCP1606BOOSTG
制造商: onsemi 系列: - 包装: 散装 零件状态: 停产 主要用途: AC/DC，主面和辅面，带 PFC 输出和类型: 1，隔离 功率 - 输出: 100 W 电压 - 输出: 400V 电流 - 输出: 250mA 电压 - 输入: 88 ~ 264 VAC 稳压器拓扑: 升压 频率 - 开关: 250kHz 板类型: 完全填充 所含物品: 板 使用的 IC/零件: NCP1606 基本产品编号: NCP1606