SILAN
商品列表
SVF18N50F
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-220F FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±30V 漏源极电压Vds：500V
供应商: Anychip Mall
分类: 功率MOSFET
描述: 封装/外壳：TO-220F FET类型：N-Channel 工作温度：-55℃~150℃ 栅极电压Vgs：±30V 漏源极电压Vds：500V
SVF2N60RM
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.7Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.92nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：250pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.7pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：600V 连续漏极电流(Id)：2A 功率(Pd)：34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.7Ω@10V,1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：8.92nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：250pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：2.7pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
SBD16C45T
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：45V 平均整流电流(Io)：16A 正向压降(Vf)：640mV@8A 反向电流(Ir)：80μA@45V
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置：1对共阴极 直流反向耐压(Vr)：45V 平均整流电流(Io)：16A 正向压降(Vf)：640mV@8A 反向电流(Ir)：80μA@45V
SVF8N65F
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：14.47nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：902.3pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：3.2pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：8A 功率(Pd)：48W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：1.2Ω@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs)：14.47nC@10V 输入电容(Ciss@Vds)：902.3pF@25V 反向传输电容(Crss@Vds)：3.2pF@25V 工作温度：-55℃~+150℃@(Tj)
