HIGH DIODE
商品列表
MMBTA42
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):300V 集电极电流(Ic):300mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V NPN,Vceo=300V,Ic=300mA
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):300V 集电极电流(Ic):300mA 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@10mA,10V NPN,Vceo=300V,Ic=300mA
HD2301
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA P沟道,-20V,-2.3A,110mΩ@-4.5V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):2.3A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):110mΩ@4.5V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1V@250μA P沟道,-20V,-2.3A,110mΩ@-4.5V
SS510F
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:100V 电流:5A 正向压降(Vf):850mV@5A 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:100V 电流:5A 正向压降(Vf):850mV@5A 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A
SS8550
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW PNP,Vceo=-25V,Ic=-1.5A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW PNP,Vceo=-25V,Ic=-1.5A
MMBT2907A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):60V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V PNP,Vceo=-60V,Ic=-600mA
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):60V 集电极电流(Ic):600mA 功率(Pd):250mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):100@150mA,10V PNP,Vceo=-60V,Ic=-600mA
2N7002K
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA N沟道,60V,340mA,5Ω@10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):340mA 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):5Ω@10V,500mA N沟道,60V,340mA,5Ω@10V
SS110
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV@1A 100V,1A,VF=0.85V@1A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):850mV@1A 100V,1A,VF=0.85V@1A