HIGH DIODE
商品列表
HD2305
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>45m</SPAN>Ω@4.5V,3.5A P沟道,-12V,-4.1A,45mΩ@-4.5V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):12V 连续漏极电流(Id):4.1A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>45m</SPAN>Ω@4.5V,3.5A P沟道,-12V,-4.1A,45mΩ@-4.5V
SMAJ48A
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:单向 反向截止电压(Vrwm):48V 击穿电压(最小值):53.3V 击穿电压(最大值):58.9V 反向漏电流(Ir):5μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.2A 最大钳位电压:77.4V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:400W
供应商: Anychip Mall
分类: 瞬态抑制二极管(TVS)
描述: 极性:单向 反向截止电压(Vrwm):48V 击穿电压(最小值):53.3V 击穿电压(最大值):58.9V 反向漏电流(Ir):5μA 峰值脉冲电流(Ipp)@10/1000μs:5.2A 最大钳位电压:77.4V 峰值脉冲功率(Ppp)@10/1000μs:400W
SS8050
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):25V 集电极电流(Ic):1.5A 功率(Pd):300mW NPN,Vceo=25V,Ic=1.5A