HIGH DIODE
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S9014
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) NPN,Vceo=45V,Ic=100mA
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj) NPN,Vceo=45V,Ic=100mA
HD2310
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):250pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds):20pF@30V 工作温度:+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):60V 连续漏极电流(Id):3A 功率(Pd):350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@10V,3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):7nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):250pF@30V 反向传输电容(Crss@Vds):20pF@30V 工作温度:+150℃@(Tj)
RS1MF
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向恢复时间(trr):500ns
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.3V@1A 反向恢复时间(trr):500ns
BAT60B
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:10V 电流:3A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):600mV@1A 直流反向耐压(Vr):10V 平均整流电流(Io):3A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:10V 电流:3A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):600mV@1A 直流反向耐压(Vr):10V 平均整流电流(Io):3A
BAT54C
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V@100mA 30V,200mA,VF=1V@100mA
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 直流反向耐压(Vr):30V 平均整流电流(Io):200mA 正向压降(Vf):1V@100mA 30V,200mA,VF=1V@100mA
US3J
供应商: Anychip Mall
分类: 高效率二极管
描述: 电压:600V 电流:3A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.7V@3A 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):3A 反向恢复时间(trr):75ns
供应商: Anychip Mall
分类: 高效率二极管
描述: 电压:600V 电流:3A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.7V@3A 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):3A 反向恢复时间(trr):75ns
ES1J
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):35ns
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向恢复时间(trr):35ns