HIGH DIODE
商品列表
US1MF
供应商: Anychip Mall
分类: 高效率二极管
描述: 电压:1kV 电流:1A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 反向恢复时间(trr):75ns
供应商: Anychip Mall
分类: 高效率二极管
描述: 电压:1kV 电流:1A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):1.7V@1A 直流反向耐压(Vr):1kV 平均整流电流(Io):1A 反向恢复时间(trr):75ns
SSL36F
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:60V 电流:3A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):520mV@3A 直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):3A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:60V 电流:3A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):520mV@3A 直流反向耐压(Vr):60V 平均整流电流(Io):3A
SS310F
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:100V 电流:3A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):850mV@3A 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):3A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:100V 电流:3A 二极管配置:独立式 正向压降(Vf):850mV@3A 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):3A
HD2307
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.7A 功率(Pd):1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):340pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):51pF@15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:P沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):2.7A 功率(Pd):1.1W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):73mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250uA 栅极电荷(Qg@Vgs):4.1nC@4.5V 输入电容(Ciss@Vds):340pF@15V 反向传输电容(Crss@Vds):51pF@15V 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
MMBTA44
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:400V 电流:200mA NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):400V 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,10V
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 耐压:400V 电流:200mA NPN 晶体管类型:NPN 集电极电流(Ic):200mA 集射极击穿电压(Vceo):400V 功率(Pd):350mW 直流电流增益(hFE@Ic,Vce):50@10mA,10V
1N4148W
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置:独立式 功率:400mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向恢复时间(trr):4ns
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置:独立式 功率:400mW 直流反向耐压(Vr):75V 平均整流电流(Io):150mA 正向压降(Vf):1.25V@150mA 反向恢复时间(trr):4ns
ES1JF
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向电流(Ir):5μA@600V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 快恢复
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):600V 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.7V@1A 反向电流(Ir):5μA@600V 反向恢复时间(trr):35ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
S9015
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW PNP,Vceo=-45V,Ic=-100mA