TECHCODE

TDM2618
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>N</SPAN> 漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：11.3A 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：9mΩ@20V,11.3A 类型 N 漏源电压(Vdss) 60 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 11.3 导通电阻(mΩ) 9 输入电容(Ciss) 1225 反向传输电容Crss(pF) 30 栅极电荷(Qg) 20.6

TDM31066
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 连续漏极电流(Id)：54A 功率(Pd)：83W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：13.5mΩ@10V,20A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：3V@250μA N沟道 100V 18.2mΩ@4.5V

TD1670
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片

TD1501HS50R
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片

TDM3432
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：25A 功率(Pd)：2.7W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3.4mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道 40V 4.1mΩ@4.5V

TD1663
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 60V/5A异步降压转换器

TDM3466
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：200A 功率(Pd)：240W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2.1mΩ@10V,25A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道 40V 2.5mΩ@4.5V

TDM3508
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：68A 功率(Pd)：50W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：7.5mΩ@10V,15A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2.5V@250μA N沟道 30V 8.8mΩ@4.5V

TDM3534
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10mΩ@10V,10A 类型 Asy.DN 漏源电压(Vdss) 30 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 9.1 导通电阻(mΩ) 10 输入电容(Ciss) 455 反向传输电容Crss(pF) 22 栅极电荷(Qg) 8

TD1457C
供应商: Anychip Mall
分类: 预售新品