TECHCODE

TDM3548
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：57A 功率(Pd)：31.3W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：6.8mΩ@10V,15A 类型 N 漏源电压(Vdss) 30 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 13 导通电阻(mΩ) 6.8 输入电容(Ciss) 690 反向传输电容Crss(pF) 113 栅极电荷(Qg) 7
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 漏源极电压（Vdss）: 30V 阈值电压Vgs(th): 1.75V@250µA 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 13A 漏源导通电阻 RDS(on): 11 mΩ FET类型: N沟道 封装/外壳: PPAK8_3.15X3.05MM 栅极源极击穿电压: ±20V 反向传输电容Crss: 113pF 漏极电流Idss: 13A 配置: Single 输入电容(Ciss)(Max): 690pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 30V 功率(Max): 2.08W 导通电阻Rds On(Max): 11mΩ @ 4.5V 工作温度(Tj): +150℃ 引脚数: 8Pins

TD1410
供应商: Sense Electronic Company Limited

TD1601S50
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 60V3A异步降压转换器

TD1601SADJ
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 60V3A异步降压转换器

TD1602S50
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片

TDM31056A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：100V 类型 N 漏源电压(Vdss) 100 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 导通电阻(mΩ) 16 输入电容(Ciss) 1130 反向传输电容Crss(pF) 60 栅极电荷(Qg) 30

TDM3482C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型 N 漏源电压(Vdss) 40 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 导通电阻(mΩ) 8.5 输入电容(Ciss) 690 反向传输电容Crss(pF) 38 栅极电荷(Qg)

TDM3307C
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：<SPAN CLASS=LUCENE_HIGHLIGHT_CLASS>P</SPAN> 漏源电压(Vdss)：30V 类型 P 漏源电压(Vdss) -30 阈值电压(Vgs) 25 连续漏极电流(Id) 导通电阻(mΩ) 10.5 输入电容(Ciss) 2590 反向传输电容Crss(pF) 360 栅极电荷(Qg) 65

TD6810B
供应商: Anychip Mall
分类: DC-DC电源芯片
描述: 功能类型：降压型 耐压5.5V 800MA高效率同步降压DC/DC

TDM3412
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：2个N沟道(半桥) 漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：18A 功率(Pd)：20W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：10.8mΩ@10V,10A 类型 Asy.DN 漏源电压(Vdss) 30 阈值电压(Vgs) 20 连续漏极电流(Id) 9.1 导通电阻(mΩ) 10 输入电容(Ciss) 455 反向传输电容Crss(pF) 22 栅极电荷(Qg) 8