PUOLOP
商品列表
S9014
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压(Vceo):45V 集电极电流(Ic):100mA 功率(Pd):200mW 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat)@Ic,Ib):300mV@100mA,5mA 特征频率(fT):150MHz 工作温度:+150℃@(Tj)
PTBO131XXS-SOP14
供应商: Anychip Mall
分类: 单片机(MCU
描述: CPU内核:RISC 工作电压范围:2.2V~5.5V 程序存储容量:1.5KB 程序存储器类型:OTP RAM总容量:88Byte
供应商: Anychip Mall
分类: 单片机(MCU
描述: CPU内核:RISC 工作电压范围:2.2V~5.5V 程序存储容量:1.5KB 程序存储器类型:OTP RAM总容量:88Byte
PTD15N10
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):100V 连续漏极电流(Id):15A 功率(Pd):30W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):90mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@250μA
PTF8N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):49W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):49W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.1Ω@10V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA