PUOLOP
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SI2302
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA N沟道,20V,4A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):45mΩ@4.5V,4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.2V@250uA N沟道,20V,4A
AO3400-SOT23
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,5.8A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):30V 连续漏极电流(Id):5.8A 功率(Pd):1.4W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):28mΩ@10V,5.8A
SI2300
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.6A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,3.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):20V 连续漏极电流(Id):3.6A 功率(Pd):1.25W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):70mΩ@4.5V,3.6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):1.5V@250μA
MBR10100CT
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置:1对共阴极 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):800mV@5A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 二极管配置:1对共阴极 直流反向耐压(Vr):100V 平均整流电流(Io):5A 正向压降(Vf):800mV@5A