PINGWEI
商品列表
DSS115
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:150V 电流:1A 正向压降(Vf):950mV@1A 直流反向耐压(Vr):150V 平均整流电流(Io):1A
供应商: Anychip Mall
分类: 肖特基二极管
描述: 电压:150V 电流:1A 正向压降(Vf):950mV@1A 直流反向耐压(Vr):150V 平均整流电流(Io):1A
M4N65TF
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):34W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.3Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
EM520E
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):2kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):5μA@2kV
供应商: Anychip Mall
分类: 通用二极管
描述: 二极管配置:独立式 直流反向耐压(Vr):2kV 平均整流电流(Io):1A 正向压降(Vf):1.1V@1A 反向电流(Ir):5μA@2kV
4N65H
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):4A 功率(Pd):70W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.5Ω@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA
MUR2040FCT
供应商: Anychip Mall
分类: 高效率二极管
描述: 二极管配置:1对共阴极 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):1.2V@10A 反向电流(Ir):10μA@400V 反向恢复时间(trr):50ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)
供应商: Anychip Mall
分类: 高效率二极管
描述: 二极管配置:1对共阴极 直流反向耐压(Vr):400V 平均整流电流(Io):10A 正向压降(Vf):1.2V@10A 反向电流(Ir):10μA@400V 反向恢复时间(trr):50ns 工作温度:-55℃~+150℃@(Tj)