SLKOR
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SL27511
供应商: Anychip Mall
分类: 栅极驱动
描述: 24V 4A 拉电流、8A 灌电流 单通道驱动器
安装类型: SMT 特性: 欠压保护(UVP) 品牌: Slkor 电源电压: 4.5V~20V 供电电压: 4.5V~20V 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+125℃ 上升/下降时间: 6,4.5ns 原产国家: China 输出电流: 4A 通道数: 1 最小包装: 3000pcs 输出电压: 24V 高度: 1.10mm 负载类型: MOSFET；IGBT 引脚数: 6Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 栅极驱动
描述: 24V 4A 拉电流、8A 灌电流 单通道驱动器
安装类型: SMT 特性: 欠压保护(UVP) 品牌: Slkor 电源电压: 4.5V~20V 供电电压: 4.5V~20V 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 存储温度: -65℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 2.90 x 1.60mm 封装/外壳: SOT23-6 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+125℃ 上升/下降时间: 6,4.5ns 原产国家: China 输出电流: 4A 通道数: 1 最小包装: 3000pcs 输出电压: 24V 高度: 1.10mm 负载类型: MOSFET；IGBT 引脚数: 6Pin
SL2305
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250μA 额定功率: 1.2W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.1A 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: 600pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): - 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型：P沟道 漏源电压(Vdss)：20V 连续漏极电流(Id)：4.1A 功率(Pd)：1.2W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：55mΩ@4.5V,4.1A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@250uA
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 击穿电压: 20V 阈值电压: 1.5V@250μA 额定功率: 1.2W 包装: Tape/reel 极性: P-沟道 连续漏极电流: 4.1A 封装/外壳: SOT-23 工作温度: +150℃ 配置: 单路 输入电容: 600pF 最小包装: 3000pcs 漏源电压(Vdss): 20V 栅极电荷(Qg): - 高度: 1.15mm 零件状态: Active 晶体管类型: P沟道 引脚数: 3Pin
BTA06-800B(TO-220)
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: 晶闸管 TO-220 5V 6A 双向可控硅
安装类型: 插件 品牌: Slkor 通态电流 It: 6 A 栅极触发电流: 100mA 断态电压: - 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tube packing Vrrm反向重复峰值电压: 800V 栅极触发电压: 5V 长x宽/尺寸: 10.40 x 4.60mm 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+125℃ 原产国家: China 最小包装: 50pcs 通道数: 1 可控硅类型: TRIAC 零件状态: Active 高度: 16.30mm 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 可控硅/晶闸管/光电可控硅
描述: 晶闸管 TO-220 5V 6A 双向可控硅
安装类型: 插件 品牌: Slkor 通态电流 It: 6 A 栅极触发电流: 100mA 断态电压: - 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tube packing Vrrm反向重复峰值电压: 800V 栅极触发电压: 5V 长x宽/尺寸: 10.40 x 4.60mm 封装/外壳: TO-220-3 元件生命周期: Active 工作温度: -40℃~+125℃ 原产国家: China 最小包装: 50pcs 通道数: 1 可控硅类型: TRIAC 零件状态: Active 高度: 16.30mm 引脚数: 3Pin
TIP122
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 达林顿功率晶体管（NPN）
安装类型: 插件 功率耗散: 65W 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tube packing Vce饱和压降: 4V 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 长x宽/尺寸: 10.54 x 4.70mm 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 100V 集电极截止电流 (Icbo): 200μA@100V 集电极电流 Ic: 5A 原产国家: China 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 15.32mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 4 引脚数: 3Pin 类型: NPN
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: 达林顿功率晶体管（NPN）
安装类型: 插件 功率耗散: 65W 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tube packing Vce饱和压降: 4V 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 长x宽/尺寸: 10.54 x 4.70mm 封装/外壳: TO-220-3 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 100V 集电极截止电流 (Icbo): 200μA@100V 集电极电流 Ic: 5A 原产国家: China 最小包装: 50pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 高度: 15.32mm 晶体管类型: NPN DC电流增益(hFE): 4 引脚数: 3Pin 类型: NPN
S3M
供应商: Anychip Mall
分类: 其他二极管
描述: VR:1kV IF:3A VF:1.15V@3A IR:10uA@1kV
安装类型: SMT 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: Austria 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 2.5µs 正向压降VF Max: 1.15V 零件状态: Active 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 其他二极管
描述: VR:1kV IF:3A VF:1.15V@3A IR:10uA@1kV
安装类型: SMT 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 包装: Tape/Reel 存储温度: -55℃~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.57 x 3.94mm 反向漏电流IR: 10µA 封装/外壳: SMB(DO-214AA) 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 原产国家: Austria 反向峰值电压（最大值）: 1KV 反向耐压VR: 1KV 平均整流电流: 3A 最小包装: 3000pcs 反向恢复时间(trr): 2.5µs 正向压降VF Max: 1.15V 零件状态: Active 高度: 2.44mm 引脚数: 2Pin
SLPESD0402-14
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护 VC=40V Vdc=14V 0402
安装类型: SMT 品牌: Slkor 最大工作电压(DC): 14V 功率-峰值脉冲: - 原始制造商: Shenzhen Sikormicro Semicon Co, Ltd 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.10 x 0.52mm 反向断态电压: - 封装/外壳: 0402 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 系列: Original 击穿电压 V(BR)-min: - 最小包装: 10000pcs 通道数: 1 高度: 0.38mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
供应商: Anychip Mall
分类: ESD抑制器/TVS二极管
描述: ESD保护 VC=40V Vdc=14V 0402
安装类型: SMT 品牌: Slkor 最大工作电压(DC): 14V 功率-峰值脉冲: - 原始制造商: Shenzhen Sikormicro Semicon Co, Ltd 极性: 双向 包装: Tape/Reel 长x宽/尺寸: 1.10 x 0.52mm 反向断态电压: - 封装/外壳: 0402 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+125℃ 峰值脉冲电流（Ipp）: - 系列: Original 击穿电压 V(BR)-min: - 最小包装: 10000pcs 通道数: 1 高度: 0.38mm 零件状态: Active 引脚数: 2Pin
MMBTA06
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: NPN Ic:600mA Vceo:80V
安装类型: SMT 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 额定功率: 225mW 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 包装: Tape/reel 极性: NPN 跃迁频率: 100MHz 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 集电极-发射极电压 VCEO: 80V 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 4V 零件状态: Active 高度: 1.10mm DC电流增益(hFE): 100
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: NPN Ic:600mA Vceo:80V
安装类型: SMT 品牌: Slkor 原始制造商: Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. 集电极-基极电压（VCBO）: 80V 额定功率: 225mW 集射极击穿电压Vce(Max): 80V 包装: Tape/reel 极性: NPN 跃迁频率: 100MHz 封装/外壳: SOT-23 元件生命周期: Active 工作温度: -55℃~+150℃ 集电极电流 Ic: 600mA 集电极-发射极电压 VCEO: 80V 原产国家: China 最小包装: 3000pcs 发射极与基极之间电压 VEBO: 4V 零件状态: Active 高度: 1.10mm DC电流增益(hFE): 100
SL18N50F
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=18A RDS(ON)=320mΩ@10V TO220F
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 功率耗散: 60W 原始制造商: SLKORMICRO Electronics Co., Ltd 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 18A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220F 反向传输电容Crss: 25pF 工作温度: +150℃ 充电电量: 45nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 320mΩ 原产国家: China 输入电容: 2.2nF 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 500V 零件状态: Active
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: MOS管 N-Channel VDS=500V VGS=±30V ID=18A RDS(ON)=320mΩ@10V TO220F
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 功率耗散: 60W 原始制造商: SLKORMICRO Electronics Co., Ltd 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 18A 存储温度: -55℃~+150℃ 封装/外壳: TO220F 反向传输电容Crss: 25pF 工作温度: +150℃ 充电电量: 45nC 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 320mΩ 原产国家: China 输入电容: 2.2nF 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 500V 零件状态: Active
SL11N65CF
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型 VDSS(V) 650 ID@TC=110?C(A) 11 PD@TC=110?C(W) 31 VGS(V) 350 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.90V 350
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 击穿电压: 650V 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11.5A 封装/外壳: TO220F 栅极源极击穿电压: ±30V 反向传输电容Crss: 1.8pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 300mΩ 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 19nC 高度: 4.57mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: 类型 VDSS(V) 650 ID@TC=110?C(A) 11 PD@TC=110?C(W) 31 VGS(V) 350 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.90V 350
安装类型: 插件 是否无铅: Yes 品牌: Slkor 击穿电压: 650V 包装: Tube packing 极性: N-沟道 连续漏极电流: 11.5A 封装/外壳: TO220F 栅极源极击穿电压: ±30V 反向传输电容Crss: 1.8pF 工作温度: -55℃~+150℃ 配置: 单路 不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）: 300mΩ 最小包装: 50pcs 漏源电压(Vdss): 650V 栅极电荷(Qg): 19nC 高度: 4.57mm 零件状态: Active 晶体管类型: N沟道 引脚数: 3Pin
BCP51-16
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: PNP Ic:1A Pd:1.5W Vceo:45V fT:100MHz VCE(sat):500mV@500mA,50mA hFE:100@150mA,2V
安装类型: SMT 品牌: Slkor 功率耗散: 1.5W 额定功率: 1.5W Vce饱和压降: 500mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 极性: PNP 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 6.50 x 3.50mm 封装/外壳: SOT-223-3 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 1A 高度: 1.60mm DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: PNP 引脚数: 4Pin
供应商: Anychip Mall
分类: 三极管(BJT)
描述: PNP Ic:1A Pd:1.5W Vceo:45V fT:100MHz VCE(sat):500mV@500mA,50mA hFE:100@150mA,2V
安装类型: SMT 品牌: Slkor 功率耗散: 1.5W 额定功率: 1.5W Vce饱和压降: 500mV 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 45V 极性: PNP 跃迁频率: 100MHz 长x宽/尺寸: 6.50 x 3.50mm 封装/外壳: SOT-223-3 工作温度: -65℃~+150℃ 集电极-发射极电压 VCEO: 45V 集电极电流 Ic: 1A 高度: 1.60mm DC电流增益(hFE): - 晶体管类型: PNP 引脚数: 4Pin