PIP
商品列表
PTA12N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):73W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):750mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道,650V,0.60?@10V,12A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):12A 功率(Pd):73W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):750mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道,650V,0.60?@10V,12A
PSA07N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道,650V,7.0A,1.1?@10V
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):650V 连续漏极电流(Id):7A 功率(Pd):42W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道,650V,7.0A,1.1?@10V
PTA16N60
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):16A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):500mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道,600V,0.41?@10V,16A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):600V 连续漏极电流(Id):16A 功率(Pd):60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):500mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道,600V,0.41?@10V,16A
PTA09N90
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):900V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):67W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,4.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道,900V,1.2?@10V,9A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):900V 连续漏极电流(Id):9A 功率(Pd):67W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):1.4Ω@10V,4.8A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道,900V,1.2?@10V,9A
PTP02N04NB
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1mΩ@10V,24A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道,40V,1.65m?@10V,245A
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型:N沟道 漏源电压(Vdss):40V 连续漏极电流(Id):120A 功率(Pd):300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id):2.1mΩ@10V,24A 阈值电压(Vgs(th)@Id):4V@250μA N沟道,40V,1.65m?@10V,245A