PIP

PTP02N04N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：40V 连续漏极电流(Id)：80A 功率(Pd)：300W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2mΩ@10V,80A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道,40V,1.6m?@10V,280A

PSD04N65B
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

PTP08N06NB
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

PTA16N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)
描述: 类型：N沟道 漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：16A 功率(Pd)：60W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：550mΩ@10V,8A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：4V@250μA N沟道,650V,0.45?@10V,16A

SPTA65R350E
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

PTA26N65
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

PTA09N50
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

PTP01N04N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)

PTA17N50
供应商: Anychip Mall
分类: PTA17N50
描述: 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：17A(Tc) 漏源电压（Vdss）：500V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：45W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,500V,0.28?@10V,17A

PTP08N06N
供应商: Anychip Mall
分类: 场效应管(MOSFET)