JCET
商品列表
DTC143EUA
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: NPN Ic=100mA Vce=50V hfe=100~300 fT=250MHz P=200mW SOT-323
功率(Max): 200mW 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 集电极电流Ic(Max): 100mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 30 跃迁频率: 250MHz 安装类型: SMT 工作温度(Tj): +150℃ Vce饱和压降(Max): 500mV 封装/外壳: SOD23 品牌: JCET 额定功率: 200mW
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: NPN Ic=100mA Vce=50V hfe=100~300 fT=250MHz P=200mW SOT-323
功率(Max): 200mW 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 集电极电流Ic(Max): 100mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 30 跃迁频率: 250MHz 安装类型: SMT 工作温度(Tj): +150℃ Vce饱和压降(Max): 500mV 封装/外壳: SOD23 品牌: JCET 额定功率: 200mW
SS8550D(160-300)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-1.5A Vceo=-25V hfe=160~300 P=1W fT=100MHz D档 TO-92
跃迁频率: 100MHz DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 封装/外壳: TO92 工作温度(Tj): +150℃ 安装类型: DIP 功率(Max): 1W 晶体管类型: PNP 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极电流Ic(Max): 1.5A Vce饱和压降(Max): 500mV 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 500mV 品牌: JCET 额定功率: 1W 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 1.5A
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-1.5A Vceo=-25V hfe=160~300 P=1W fT=100MHz D档 TO-92
跃迁频率: 100MHz DC电流增益(hFE)(Min&Range): 160 封装/外壳: TO92 工作温度(Tj): +150℃ 安装类型: DIP 功率(Max): 1W 晶体管类型: PNP 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极电流Ic(Max): 1.5A Vce饱和压降(Max): 500mV 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 500mV 品牌: JCET 额定功率: 1W 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 1.5A
BZT52C36S
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: SOD-323塑料封装二极管
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 36V 最大耗散功率: 200mW 品牌: JCET 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Vr - 反向电压: 25.2V 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 2mA 最大稳压值: 38.00V 存储温度: -55~+150℃ 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD323 组态: 独立 工作温度: +150℃ Zzk阻抗Max: 350Ω 原产国家: China 标准稳压值: 36V 最小稳压值: 34.00V 最小包装: 3000pcs
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: SOD-323塑料封装二极管
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 稳压值Vz: 36V 最大耗散功率: 200mW 品牌: JCET 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. Vr - 反向电压: 25.2V 包装: Tape/Reel 反向电流Izt: 2mA 最大稳压值: 38.00V 存储温度: -55~+150℃ 反向漏电流IR: 100nA 封装/外壳: SOD323 组态: 独立 工作温度: +150℃ Zzk阻抗Max: 350Ω 原产国家: China 标准稳压值: 36V 最小稳压值: 34.00V 最小包装: 3000pcs
BZT52C3V6S
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=3.6V 3.4V~3.8V Izt=5mA P=200mW SOD323
精度: ±5.56% 封装/外壳: SOD323 额定功率: 200mW 反向电流Izt: 5mA 组态: Single 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 动态电阻（最大值）: 90 Ohms 安装类型: SMT 工作温度: +150℃(TJ) 正向压降VF: 0.9V 反向漏电流IR: 5μA 最大耗散功率: 200mW 包装: Tape/Reel 稳压值Vz: 3.6V 是否无铅: Yes 零件状态: Active 元件生命周期: Active 应用: General purpose 应用等级: Consumer 容差Tol: -
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: 稳压二极管 Vz=3.6V 3.4V~3.8V Izt=5mA P=200mW SOD323
精度: ±5.56% 封装/外壳: SOD323 额定功率: 200mW 反向电流Izt: 5mA 组态: Single 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 动态电阻（最大值）: 90 Ohms 安装类型: SMT 工作温度: +150℃(TJ) 正向压降VF: 0.9V 反向漏电流IR: 5μA 最大耗散功率: 200mW 包装: Tape/Reel 稳压值Vz: 3.6V 是否无铅: Yes 零件状态: Active 元件生命周期: Active 应用: General purpose 应用等级: Consumer 容差Tol: -
BAS21A
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: SOT-23塑料封装二极管
封装/外壳: SOT23-3 安装类型: SMT 反向耐压VR(max): 250V 包装: Tape/Reel 反向峰值电压（最大值）: 250V 反向漏电流IR: 100nA 平均整流电流IF: 200mA 反向恢复时间(trr): 50ns 最大耗散功率: 225mW 工作温度: +150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 品牌: JCET 高度: 1.15mm 引脚数: 3Pins 正向压降VF Max: 1.25V 最小包装: 3000pcs 反向击穿电压: 250V 是否无铅: Yes Vr - 反向电压: 250V 元件生命周期: Active
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管（小信号）
描述: SOT-23塑料封装二极管
封装/外壳: SOT23-3 安装类型: SMT 反向耐压VR(max): 250V 包装: Tape/Reel 反向峰值电压（最大值）: 250V 反向漏电流IR: 100nA 平均整流电流IF: 200mA 反向恢复时间(trr): 50ns 最大耗散功率: 225mW 工作温度: +150℃ 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 品牌: JCET 高度: 1.15mm 引脚数: 3Pins 正向压降VF Max: 1.25V 最小包装: 3000pcs 反向击穿电压: 250V 是否无铅: Yes Vr - 反向电压: 250V 元件生命周期: Active
B5817WS
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: SOD323塑料封装二极管VRM:220V IO:1A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 最大耗散功率: 250mW Vr - 反向电压: 20V 包装: Tape/Reel 反向耐压VR(max): 20V 正向压降VF: 0.45V 反向漏电流IR: 1mA 封装/外壳: SOD323-2 组态: Single 工作温度: -40~+125℃ 平均整流电流IF: 1A 反向峰值电压（最大值）: 20V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 9A 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: 125°C（最大） Vf正向峰值电压: 750mV 认证信息: RoHS 正向压降VF Max: 450mV
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: SOD323塑料封装二极管VRM:220V IO:1A
安装类型: SMT 是否无铅: Yes 最大耗散功率: 250mW Vr - 反向电压: 20V 包装: Tape/Reel 反向耐压VR(max): 20V 正向压降VF: 0.45V 反向漏电流IR: 1mA 封装/外壳: SOD323-2 组态: Single 工作温度: -40~+125℃ 平均整流电流IF: 1A 反向峰值电压（最大值）: 20V Ifsm - 正向浪涌峰值电流: 9A 湿气敏感性等级（MSL）: 1（无限） 最小包装: 3000pcs 工作温度-结: 125°C（最大） Vf正向峰值电压: 750mV 认证信息: RoHS 正向压降VF Max: 450mV
UMG8N
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: 2NPN Ic=100mA Vce=50V P=150mW SOT-353
Vce饱和压降(Max): 50V 封装/外壳: SOT363 功率(Max): 150mW 晶体管类型: Dual NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 集电极电流Ic(Max): 100mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 80 跃迁频率: 250MHz 安装类型: SMT 工作温度(Tj): +150℃ 品牌: JCET 额定功率: 150mW
供应商: Anychip Mall
分类: 带预偏置三极管
描述: 2NPN Ic=100mA Vce=50V P=150mW SOT-353
Vce饱和压降(Max): 50V 封装/外壳: SOT363 功率(Max): 150mW 晶体管类型: Dual NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 50V 集电极电流Ic(Max): 100mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 80 跃迁频率: 250MHz 安装类型: SMT 工作温度(Tj): +150℃ 品牌: JCET 额定功率: 150mW
CJ3134K(SOT-23)
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT-23塑料封装MOSFET
导通电阻Rds On(Max): 270mΩ FET类型: N-Channel 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 750mA 阈值电压Vgs(th): 1.1V 漏源电压(Vdss): 20V 功率(Max): 350mW 封装/外壳: SOT23-3 漏极电流Idss: 750mA 安装类型: SMT 品牌: JCET 最小包装: 3000pcs 引脚数: 3 高度: 1.15mm 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 极性: N-Channel 漏源导通电阻 RDS(on): 380mΩ 栅极源极击穿电压: ±12V 额定功率: 350mW 漏源极电压（Vdss）: 20V
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT-23塑料封装MOSFET
导通电阻Rds On(Max): 270mΩ FET类型: N-Channel 包装: Tape/reel 连续漏极电流Id@25℃: 750mA 阈值电压Vgs(th): 1.1V 漏源电压(Vdss): 20V 功率(Max): 350mW 封装/外壳: SOT23-3 漏极电流Idss: 750mA 安装类型: SMT 品牌: JCET 最小包装: 3000pcs 引脚数: 3 高度: 1.15mm 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 极性: N-Channel 漏源导通电阻 RDS(on): 380mΩ 栅极源极击穿电压: ±12V 额定功率: 350mW 漏源极电压（Vdss）: 20V
MMBT5551-GH(200-300)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=200~300 fT=100MHz P=300mW
DC电流增益(hFE)(Min&Range): 80 安装类型: SMT 晶体管类型: NPN 功率(Max): 300mW 封装/外壳: SOT23-3 集电极电流Ic(Max): 600mA 集射极击穿电压Vce(Max): 160V 工作温度(Tj): +150℃ 跃迁频率: 100MHz 集电极-发射极电压 VCEO: 160V 品牌: JCET 额定功率: 300mW 集电极电流 Ic: 600mA
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=600mA Vceo=160V hfe=200~300 fT=100MHz P=300mW
DC电流增益(hFE)(Min&Range): 80 安装类型: SMT 晶体管类型: NPN 功率(Max): 300mW 封装/外壳: SOT23-3 集电极电流Ic(Max): 600mA 集射极击穿电压Vce(Max): 160V 工作温度(Tj): +150℃ 跃迁频率: 100MHz 集电极-发射极电压 VCEO: 160V 品牌: JCET 额定功率: 300mW 集电极电流 Ic: 600mA
CJ8820
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: SOT-23塑料封装MOSFET
封装/外壳: SOT23-3 安装类型: SMT 包装: Tape/reel 工作温度(Tj): +150℃ 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流Id@25℃: 7A 品牌: JCET 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 高度: 1.05mm 元件生命周期: Active 零件状态: Active 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 原产国家: China 引脚数: 3Pins 最小包装: 3000pcs 存储温度: -55~+150℃ 极性: Dual N-Channel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 栅极源极击穿电压: ±12V
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: SOT-23塑料封装MOSFET
封装/外壳: SOT23-3 安装类型: SMT 包装: Tape/reel 工作温度(Tj): +150℃ 漏源电压(Vdss): 20V 连续漏极电流Id@25℃: 7A 品牌: JCET 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 高度: 1.05mm 元件生命周期: Active 零件状态: Active 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 原产国家: China 引脚数: 3Pins 最小包装: 3000pcs 存储温度: -55~+150℃ 极性: Dual N-Channel 漏源击穿电压BVDSS: 20V 栅极源极击穿电压: ±12V