JCET
商品列表
CJ2333
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT-23塑料封装MOSFETS
安装类型: SMT 包装: Tape/reel 工作温度(Tj): +150℃ FET类型: P-Channel 漏源电压(Vdss): -12V 连续漏极电流Id@25℃: -6A 封装/外壳: SOT23-3 导通电阻Rds On(Max): 150mΩ 功率(Max): 1.1W 元件生命周期: Active 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 零件状态: Active 高度: 1.15mm 栅极源极击穿电压: ±8V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 漏源导通电阻 RDS(on): 150mΩ 原产国家: China 额定功率: 1.1W 引脚数: 3Pins 极性: P-channel
供应商: Anychip Mall
分类: MOSFETs
描述: SOT-23塑料封装MOSFETS
安装类型: SMT 包装: Tape/reel 工作温度(Tj): +150℃ FET类型: P-Channel 漏源电压(Vdss): -12V 连续漏极电流Id@25℃: -6A 封装/外壳: SOT23-3 导通电阻Rds On(Max): 150mΩ 功率(Max): 1.1W 元件生命周期: Active 长x宽/尺寸: 3.00 x 1.40mm 零件状态: Active 高度: 1.15mm 栅极源极击穿电压: ±8V 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 漏源导通电阻 RDS(on): 150mΩ 原产国家: China 额定功率: 1.1W 引脚数: 3Pins 极性: P-channel
S8550H(200-350)(SOT-23)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP,Vce=25V,Ic=0.5A,hfe=200~350 H档 SOT-23
Vce饱和压降(Max): 600mV 安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 晶体管类型: PNP 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极电流Ic(Max): 500mA 功率(Max): 300mW DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 工作温度(Tj): +150℃ 跃迁频率: 150MHz 额定功率: 300mW 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 600mV 品牌: JCET
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP,Vce=25V,Ic=0.5A,hfe=200~350 H档 SOT-23
Vce饱和压降(Max): 600mV 安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23 晶体管类型: PNP 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极电流Ic(Max): 500mA 功率(Max): 300mW DC电流增益(hFE)(Min&Range): 200 工作温度(Tj): +150℃ 跃迁频率: 150MHz 额定功率: 300mW 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 600mV 品牌: JCET
1SS355
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns
最大耗散功率: - 安装类型: SMT 工作温度: +150℃ 包装: Tape/Reel 反向恢复时间(trr): 4ns 工作温度-结: -55°C~150°C 反向漏电流IR: 100nA 正向压降VF: 1.2V 平均整流电流IF: 100mA 反向耐压VR(max): 80V 封装/外壳: SOD-323 组态: Single 原产国家: China 高度: 1.00mm 引脚数: 2Pins 最小包装: 3000pcs 元件生命周期: Active 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 零件状态: Active 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
供应商: Anychip Mall
分类: 开关二极管
描述: 二极管配置：独立式 直流反向耐压(Vr)：80V 平均整流电流(Io)：100mA 正向压降(Vf)：1.2V@100mA 反向电流(Ir)：100nA@80V 反向恢复时间(trr)：4ns
最大耗散功率: - 安装类型: SMT 工作温度: +150℃ 包装: Tape/Reel 反向恢复时间(trr): 4ns 工作温度-结: -55°C~150°C 反向漏电流IR: 100nA 正向压降VF: 1.2V 平均整流电流IF: 100mA 反向耐压VR(max): 80V 封装/外壳: SOD-323 组态: Single 原产国家: China 高度: 1.00mm 引脚数: 2Pins 最小包装: 3000pcs 元件生命周期: Active 长x宽/尺寸: 1.80 x 1.40mm 零件状态: Active 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd.
2SC2714
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=20mA Vceo=30V hfe=100~200 fT=550MHz P=100mW
工作温度(Tj): +125℃ 安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23-3 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 跃迁频率: 550MHz 集电极电流Ic(Max): 20mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 40 功率(Max): 100mW 集电极-发射极电压 VCEO: 30V 集电极电流 Ic: 20mA 品牌: JCET 额定功率: 100mW
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: NPN Ic=20mA Vceo=30V hfe=100~200 fT=550MHz P=100mW
工作温度(Tj): +125℃ 安装类型: SMT 封装/外壳: SOT23-3 晶体管类型: NPN 集射极击穿电压Vce(Max): 30V 跃迁频率: 550MHz 集电极电流Ic(Max): 20mA DC电流增益(hFE)(Min&Range): 40 功率(Max): 100mW 集电极-发射极电压 VCEO: 30V 集电极电流 Ic: 20mA 品牌: JCET 额定功率: 100mW
MMSZ5231BS
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: SOD-323塑料封装二极管
反向漏电流IR: 5μA 包装: Tape/Reel 安装类型: SMT 封装/外壳: SOD323 最大耗散功率: 200mW 工作温度: +150℃ Vr - 反向电压: 2V 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pins 正向压降VF Max: 0.9V 最大稳压值: 5.36V 最小稳压值: 4.85V 脚间距: 2.2mm 标准稳压值: 5.1V 品牌: JSCJ 应用: General purpose 零件状态: Active 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+150℃ 原产国家: China
供应商: Anychip Mall
分类: 齐纳/稳压二极管
描述: SOD-323塑料封装二极管
反向漏电流IR: 5μA 包装: Tape/Reel 安装类型: SMT 封装/外壳: SOD323 最大耗散功率: 200mW 工作温度: +150℃ Vr - 反向电压: 2V 高度: 1.10mm 引脚数: 2Pins 正向压降VF Max: 0.9V 最大稳压值: 5.36V 最小稳压值: 4.85V 脚间距: 2.2mm 标准稳压值: 5.1V 品牌: JSCJ 应用: General purpose 零件状态: Active 元件生命周期: Active 存储温度: -55~+150℃ 原产国家: China
MJD112
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: TO252-2L塑料封装晶体管NPN 100V 2A 1W
封装/外壳: TO252-2L 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 功率(Max): 1.5W 集电极电流Ic(Max): 2A 工作温度(Tj): -55~+150℃ 安装类型: SMT 包装: Tape/reel 零件状态: Active 极性: NPN 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 集电极与基极之间电压 VCBO: 100V 原产国家: China 集电极-发射极电压 VCEO: 100V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 额定功率: 1.5W 集电极电流 Ic: 2A 存储温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 高度: 2.38mm 引脚数: 2Pins
供应商: Anychip Mall
分类: 达林顿三极管
描述: TO252-2L塑料封装晶体管NPN 100V 2A 1W
封装/外壳: TO252-2L 集射极击穿电压Vce(Max): 100V 功率(Max): 1.5W 集电极电流Ic(Max): 2A 工作温度(Tj): -55~+150℃ 安装类型: SMT 包装: Tape/reel 零件状态: Active 极性: NPN 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd. 集电极与基极之间电压 VCBO: 100V 原产国家: China 集电极-发射极电压 VCEO: 100V 发射极与基极之间电压 VEBO: 5V 额定功率: 1.5W 集电极电流 Ic: 2A 存储温度: -55~+150℃ 长x宽/尺寸: 6.70 x 6.20mm 高度: 2.38mm 引脚数: 2Pins
2SD2098
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT-89-3L塑料封装晶体管
封装/外壳: SOT89-3 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 20V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 晶体管类型: NPN Vce饱和压降(Max): 1V 工作温度(Tj): +150℃ 集电极电流Ic(Max): 5A 功率(Max): 500mW 安装类型: SMT 功率耗散（最大值）: 500mW 跃迁频率: 150MHz 品牌: JCET 零件状态: Active 极性: NPN 原始制造商: JIANGSU CHANGJIANG ELEC TECH. 高度: 1.50mm 原产国家: China 集电极与基极之间电压 VCBO: 50V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: SOT-89-3L塑料封装晶体管
封装/外壳: SOT89-3 包装: Tape/reel 集射极击穿电压Vce(Max): 20V DC电流增益(hFE)(Min&Range): 120 晶体管类型: NPN Vce饱和压降(Max): 1V 工作温度(Tj): +150℃ 集电极电流Ic(Max): 5A 功率(Max): 500mW 安装类型: SMT 功率耗散（最大值）: 500mW 跃迁频率: 150MHz 品牌: JCET 零件状态: Active 极性: NPN 原始制造商: JIANGSU CHANGJIANG ELEC TECH. 高度: 1.50mm 原产国家: China 集电极与基极之间电压 VCBO: 50V 发射极与基极之间电压 VEBO: 6V
S9012-TAH(144-202)
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-500mA Vceo=-25V hfe=144~202 P=625mW H档 TO-92
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极电流Ic(Max): 500mA 安装类型: DIP 工作温度(Tj): +150℃ Vce饱和压降(Max): 600mV DC电流增益(hFE)(Min&Range): 144 跃迁频率: 150MHz 功率(Max): 625mW 封装/外壳: TO92 额定功率: 625mW 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 600mV 品牌: JCET
供应商: Anychip Mall
分类: 通用三极管
描述: PNP Ic=-500mA Vceo=-25V hfe=144~202 P=625mW H档 TO-92
晶体管类型: PNP 集射极击穿电压Vce(Max): 25V 集电极电流Ic(Max): 500mA 安装类型: DIP 工作温度(Tj): +150℃ Vce饱和压降(Max): 600mV DC电流增益(hFE)(Min&Range): 144 跃迁频率: 150MHz 功率(Max): 625mW 封装/外壳: TO92 额定功率: 625mW 集电极-发射极电压 VCEO: 25V 集电极电流 Ic: 500mA 集电极-射极饱和电压 VCE(sat): 600mV 品牌: JCET
CJ78L15(SOT-89)
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 78系列15V普通线性稳压
压差: 1.7V@40mA 输出电流（Max）: 100mA 输出电压（最小值/固定）: 15V 封装/外壳: SOT89-3 输出配置: Positive 输出类型: Fixed 输出电压: 15V 电源纹波抑制比（PSRR）: 39dB（120Hz） 静态电流（最大值）: 4.6mA 输出电压（最大值）: - 安装类型: SMT 输入电压（范围）: 35V(Max) 输出路数: 1 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 原产国家: China 品牌: JCET 输入电压: 35V 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 板上高度: 1.60mm
供应商: Anychip Mall
分类: 线性稳压器/LDO
描述: 78系列15V普通线性稳压
压差: 1.7V@40mA 输出电流（Max）: 100mA 输出电压（最小值/固定）: 15V 封装/外壳: SOT89-3 输出配置: Positive 输出类型: Fixed 输出电压: 15V 电源纹波抑制比（PSRR）: 39dB（120Hz） 静态电流（最大值）: 4.6mA 输出电压（最大值）: - 安装类型: SMT 输入电压（范围）: 35V(Max) 输出路数: 1 原始制造商: Jiangsu Changjing Electronics Technology Co., Ltd 原产国家: China 品牌: JCET 输入电压: 35V 存储温度: -65~+150℃ 长x宽/尺寸: 4.60 x 2.60mm 板上高度: 1.60mm
BAV74
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: 开关二极管VRM=50V VF=1V IR=0.1μA SOT23
最大耗散功率: 225mW 组态: Dual,Com，Cath 平均整流电流IF: 200mA 正向压降VF: 1V 反向恢复时间(trr): 4ns 工作温度: +150℃ 封装/外壳: SOT23 包装: Tape/Reel 安装类型: SMT 反向漏电流IR: 100nA 反向耐压VR(max): 50V 系列: - 正向压降VF Max: 1V 总电容C: 2pF 品牌: JCET 应用: Consumer Vr - 反向电压: 50V 引脚数: 3Pins 最小包装: 3000pcs 高度: 1.15mm
供应商: Anychip Mall
分类: 未分类
描述: 开关二极管VRM=50V VF=1V IR=0.1μA SOT23
最大耗散功率: 225mW 组态: Dual,Com，Cath 平均整流电流IF: 200mA 正向压降VF: 1V 反向恢复时间(trr): 4ns 工作温度: +150℃ 封装/外壳: SOT23 包装: Tape/Reel 安装类型: SMT 反向漏电流IR: 100nA 反向耐压VR(max): 50V 系列: - 正向压降VF Max: 1V 总电容C: 2pF 品牌: JCET 应用: Consumer Vr - 反向电压: 50V 引脚数: 3Pins 最小包装: 3000pcs 高度: 1.15mm